沼田 秀昭 | 日本電気(株)システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
田原 修一
NEC基礎研究所
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沼田 秀昭
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
超電導工学研究所
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財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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橋本 義仁
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
Nec基礎研
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永沢 秀一
Nec基礎研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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永沢 秀一
超電導工学研
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水沢 秀一
NEC 基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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萬 伸一
NEC基礎研究所
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萬 伸一
Nec基礎・環境研究所
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NEC基礎研究所
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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Nec基礎研究所
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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三浦 貞彦
日本電気(株)
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末光 克巳
日本電気(株)
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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Necデバプラ研
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本田 雄士
Nec基礎研究所
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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Necシステムデバイス研究所
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田原 修一
NEC 基礎研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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沼田 秀昭
NEC 基礎研究所
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NEC 基礎研究所
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Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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Necデバプラ研
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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天野 実
東芝研究開発センター
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杉林 直彦
日本電気(株)
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根橋 竜介
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気(株)
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斉藤 信作
日本電気(株)
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加藤 有光
日本電気(株)
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森 馨
日本電気(株)
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大嶋 則和
日本電気(株)
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鈴木 哲広
日本電気(株)
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永原 聖万
日本電気(株)
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石綿 延行
日本電気(株)
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深見 俊輔
日本電気(株)
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志村 健一
日本電気株式会社
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志村 健一
日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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福本 能之
日本電気(株)システムデバイス研究所
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Nec
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福本 能之
NEC
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沼田 秀昭
NEC
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水沢 秀一
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
日本電気(株)基礎研究所
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萬 伸一
日本電気(株)基礎研究所
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永沢 秀一
日本電気(株)基礎研究所
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小池 雅志
日本電気(株)基礎研究所
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加藤 千夏
NEC基礎研究所
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田原 修一
日本電気 (株) 基礎研究所
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土田 早苗
NEC基礎研究所
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斎藤 信作
Nec
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與田 博明
(株)東芝
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與田 博明
東芝
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斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
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杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
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田原 修一
NECシリコンシステム研究所
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萬 伸一
日本電気(株)基礎・環境研究所
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(株)東芝研究開発センター
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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崎村 昇
NECシリコンシステム研究所
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本田 雄士
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三浦 貞彦
NECシリコンシステム研究所
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沼田 秀昭
NECシリコンシステム研究所
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三浦 貞彦
NEC 基礎研究所
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天野 実
東芝
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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三浦 貞彦
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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與田 博明
東芝 研開セ
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永原 聖万
Nec
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笠井 直記
東北大学
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 高速ジョセフソン記憶回路技術
- 磁束トラップ防止技術と4KRAMへの適用
- ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
- ジョセフソンデジタルLSI技術
- ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 2000ゲートジョセフソン論理回路のためのトランスフォーマーによるGHzクロック供給実験 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- ジョセフソン256ワールド16ビットRAMの設計
- GHzクロックメモリテスター(JBIST)の測定評価
- ジョセフソンドライバ回路のGHzクロック動作の評価
- 超伝導集積回路へのGHzクロック給電のためのマルチバンド整合回路
- 超伝導リングネットワークのためのリンダインターフェーススイッチの動作実験
- オンチップ信号発生回路によるジョセフソン論理回路の高速動作試験
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- ジョセフソン高速信号発生回路の提案と評価
- 超伝導ネットワークシステムスイッチングノードの動作実験
- 超伝導データ交換スイッチの基本動作実験
- サーマルカレントに起因した磁束トラップの評価