田原 修一 | Nec システムデバイス研
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概要
関連著者
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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田原 修一
NEC基礎研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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吉武 務
NEC基礎研究所
-
萬 伸一
Nec基礎・環境研究所
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服部 渉
NEC基礎研究所
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服部 渉
Nec 基礎・環境研
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吉武 務
NEC基礎研
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萬 伸一
NEC基礎研究所
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亀田 義男
NEC基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
NEC 基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
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與田 博明
(株)東芝
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服部 渉
NEC 基礎研究所
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吉武 務
NEC 基礎研究所
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早川 尚夫
名古屋大学
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田中 未知
Nec基礎研究所
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濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
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與田 博明
東芝 研開セ
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濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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藤巻 朗
名古屋大学
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天野 実
(株)東芝研究開発センター
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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吉武 務
日本電気(株)基礎研
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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天野 実
東芝研究開発センター
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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末光 克巳
日本電気(株)
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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大嶋 則和
Nec
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福本 能之
NEC
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沼田 秀昭
NEC
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川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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川中 雅史
NEC光・無線デバイス研究所
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萬 伸一
超電導工学研究所
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松原 洋一
日本大学原子力研究所
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松原 洋一
日本大学
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川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
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糸崎 秀夫
住友電気工業(株)
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野口 隆志
池上技術,編集委員
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玉田 紀治
電子技術総合研究所
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糸崎 秀夫
住友電工伊丹研
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糸崎 秀夫
住友電気工業株式会社伊丹研究所
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與田 博明
東芝
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服部 渉
日本電気(株) 基礎研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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齊藤 敦
山形大工
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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野口 隆志
池上技術
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野口 隆志
池上技術 編集委員
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嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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乾 哲司
NEC基礎研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
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斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
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王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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佐藤 信好
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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齋藤 敦
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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川上 彰
通信総合研究所関西支所 超電導研究室
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斉藤 敦
山形大学 工学部
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糸崎 秀夫
住友電気工業 伊丹研
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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藤 巻朗
名古屋大学 工学部
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齋藤 敦
山形大工
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天宮 泰
日本電気株式会社
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早川 尚夫
名古屋大
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萬 伸一
NEC 基礎研究所
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Zinoviev D.
ニューヨーク州立大学
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Likharev K.
ニューヨーク州立大学
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早川 尚夫
名古屋大学工学部
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早川 尚夫
名古屋大学大学院工学研究科
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與田 博明
東芝 研究開発センター
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天野 実
東芝
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松原 洋一
日本大学理工学部原子研究所
-
松原 洋一
日本大学理工学部原子力研究所
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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萬 伸一
Nec 基礎研
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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齋藤 敦
長岡技術科学大学
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永原 聖万
Nec
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萬 伸一
Nec 基礎・環境研
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吉武 務
日本電気(株)
著作論文
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 超電導エレクトロニクスについて
- 電磁エネルギーの有効利用 広がる超電導技術の応用(完)AIMセルバッファ用高温超電導遅延メモリの開発
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜のマイクロ波特性のCu組成依存性
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- エキシマレーザー蒸着法による高温超伝導薄膜のマイクロ波特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 単一磁束量子を情報担体とする超高速論理回路
- SC-5-3 単一磁束量子回路を用いた大容量パケットスイッチ
- 内部高速化SFQ Batcher-Banyan網の提案と性能評価
- SFQ技術を用いた超高速大容量交換システムの提案
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- D-6-9 ペタフロップススケールコンピューティングのためのSFQネットワーク
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- ジョセフソンデジタルLSI技術の進展
- MRAM : 不揮発性RAMの実現に向けて