Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
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概要
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Nb/Al+AlO_x/Nb, 及びNb/constrictions/Nb接合の1/fノイズをバイアス電圧の関数として測定した.これらの超伝導弱結合素子の1/fノイズレベルは, デバイス品質パラメータQ値に強く依存していた.Blonder, Tinkham and Klapwijk(BTK)理論を用いて, QとA(E)の関係を計算した.この単Andreev反射モデルの範囲内で, 弱結合素子の1/fノイズパラメータηとA(E)の関係を調べた.データのばらつきが大きく, まだ明確ではないがηはaQ^<-1>exp(-bQ^<-1>)の関数形をもつように思われる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-01
著者
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
齊藤 敦
山形大工
-
田中 未知
Nec基礎研究所
-
斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
斉藤 敦
山形大学 工学部
-
田原 修一
Nec システムデバイス研
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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