ジョセフソン効果を用いたミリ波,サブミリ波帯における誘電率および表面抵抗の測定
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概要
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マイクロストリップ共振器一体形ジョセフソン接合を作製し,ACジョセフソン効果による高周波電流と共振器との相互作用により生じる電流ステップを観測することにより,4.2Kにおけるミリ波サブミリ波帯での各種薄膜誘電体材料(a-Si,SiO,SiO_2)の誘電率,Nb薄膜の表面抵抗の評価を行い,この方法が誘電率および表面抵抗の測定法として有効であることを示した.測定に用いた素子は,マイクロストリップ共振器の中心にジョセフソン接合を配置したもので,共振器長を217μmから2740μmまで変化させ,直流電圧バイアスを印加することにより約30〜310GHzでの測定を行っている.各種薄膜材料の比誘電率は,測定周波数領域において顕著な変化はなく,εε_<a-Si>=14.5±0.5,ε_<SiO>=5.5±0.4,ε_<SiO_2>=4.4±0.4であった.またNb薄膜の表面抵抗としては70〜180GHzにおいて1〜6mΩが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-25
著者
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