ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
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概要
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小型の磁束量子転移型 (VT) ジョセフソン記憶セルを開発した。このVT記憶セルの大きさは8.5μm×11.5μmであり、超伝導記憶セルでは世界最小である。この記憶セルはECRプラズマエッチングによるNbの微細加工技術とバイアススパッタリングによる層間絶縁膜の平坦化により作製された。機能試験の結果、正常な非破壊データ読み出し動作を確認した。また、記憶セルアレイ中で問題となる半選択状態においても正常な動作を確認した。これらの正常な動作をするための制御電流マージンは±14%と、微細記憶セルながら広い動作マージンを得た。これらの結果は将来の大規模ジョセフソンRAMに向けて非常に有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-22
著者
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
永沢 秀一
Nec基礎研究所
-
沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
沼田 秀昭
NEC基礎研究所
-
水沢 秀一
NEC基礎研究所
-
永沢 秀一
超電導工学研
-
水沢 秀一
NEC 基礎研究所
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