Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Nb/Al-AlO_x/Nb、及びNb/constrictions/Nb接合の1/fノイズをバイアス電圧の関数として測定した。これらの超伝導弱結合素子の1/fノイズレベルは、デバイス品質パラメータQ値に強く依存していた。また、BTK理論を用いて、QとA(E)の関係を計算した。この単Andreev反射モデルの範囲内で弱結合素子は、ほぼη∝A(E)(1-A(E))のスケーリング則に従う低1/fノイズ特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-26
著者
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
田中 未知
Nec基礎研究所
-
王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
佐藤 信好
長岡技術科学大学・工学部・電気系
-
齋藤 敦
長岡技術科学大学・工学部・電気系
-
川上 彰
通信総合研究所関西支所 超電導研究室
-
齋藤 敦
山形大工
-
田原 修一
Nec システムデバイス研
-
齋藤 敦
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
関連論文
- 冷凍機冷却高温超電導サンプラーのシステム応用
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高集積メアンダ線路を用いた小型超伝導コプレーナフィルタの開発
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 高速ジョセフソン記憶回路技術
- 磁束トラップ防止技術と4KRAMへの適用
- ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
- ジョセフソンデジタルLSI技術
- ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- ジョセフソン256ワールド16ビットRAMの設計
- GHzクロックメモリテスター(JBIST)の測定評価
- ジョセフソンドライバ回路のGHzクロック動作の評価
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- YBCOマイクロストリップ共振器およびフィルタの電力依存性に及ぼす薄膜微細構造の影響
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 電磁エネルギーの有効利用 広がる超電導技術の応用(完)AIMセルバッファ用高温超電導遅延メモリの開発
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜のマイクロ波特性のCu組成依存性
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- エキシマレーザー蒸着法による高温超伝導薄膜のマイクロ波特性
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_/YBa_2Cu_3O_異種超伝導体による積層型接合の作製
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 超伝導集積回路へのGHzクロック給電のためのマルチバンド整合回路
- 超伝導リングネットワークのためのリンダインターフェーススイッチの動作実験
- オンチップ信号発生回路によるジョセフソン論理回路の高速動作試験
- 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路(エレクトロニクス)
- NbNを用いた磁束フロー型サブミリ波帯発振器の出力評価
- C-8-13 マイクロ波通信用LiNbO_3光変調器のための超伝導昇圧回路の開発
- SCE2000-24 / MW2000-88 マイクロ波フォトニクス用LiNbO_3光変調器のための超伝導昇圧回路の開発
- SCE2000-24 / MW2000-88 マイクロ波フォトニクス用LiNbO_3光変調器のための超伝導昇圧回路の開発
- 準光学ログペリアンテナの放射特性
- W帯ミクシング用超伝導アクティブアレーアンテナの構成法
- 誘電体板上におけるW帯ログペリアンテナの特性
- ジョセフソン素子アレーを有する超電導アクティブアンテナのマイクロ波ミクシング特性
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- ジョセフソン高速信号発生回路の提案と評価
- 超伝導ネットワークシステムスイッチングノードの動作実験
- 超伝導データ交換スイッチの基本動作実験
- 単一磁束量子を情報担体とする超高速論理回路
- SC-5-3 単一磁束量子回路を用いた大容量パケットスイッチ
- 内部高速化SFQ Batcher-Banyan網の提案と性能評価
- SFQ技術を用いた超高速大容量交換システムの提案
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- D-6-9 ペタフロップススケールコンピューティングのためのSFQネットワーク
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- ジョセフソンデジタルLSI技術の進展
- MgO超半球レンズ付YBCOボウタイアンテナからのTHz電磁波放射特性 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- テラヘルツ電磁波発生を用いたYBCO薄膜の超高速応答物性の評価
- YBCO 薄膜からの THz 帯電磁波放射
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
- 超電導ネットワークシステムの開発 (特集 超電導特集) -- (ジョセフソン素子ハイブリツドシステムの技術開発)
- MgB_2薄膜を用いたジョセフソントンネル接合
- C-8-9 超伝導コプレーナ線路を用いた帯域通過フィルタの小型化設計
- 結合メアンダ線路を用いた小型超伝導コプレーナ型帯域通過フィルタの開発
- 高温超伝導伝送線路を用いた広帯域・高利得電圧増幅回路形LiNbO_3光変調器の設計と性能
- C-8-13 小型超伝導コプレーナフィルタの開発
- C-8-11 超伝導共振電極を用いた光変調器の低電圧高利得化
- 超伝導共振電極を用いた低駆動電圧光変調器の開発
- 超伝導共振電極を用いた低駆動電圧光変調器の開発
- YBCO薄膜の残留表面抵抗における弱結合モデル
- YBCO薄膜の磁場侵入長と表面抵抗の評価(II)
- オーバーダンプNb/AIOx/Nb接合を用いたノンラッチングサンプラー
- C-8-11 小型超伝導フィルタの開発
- 小型超伝導コプレーナ導波路フィルタの開発
- 小型超伝導コプレーナ導波路フィルタの開発
- 小型超伝導コプレーナ導波路フィルタの開発
- 異方的複素導電率を考慮した高温超伝導伝送線路のモデル化
- 異方的複素導電率を考慮した高温超伝導伝送線路のモデル化
- 高温超伝導サンプラー
- Bi単結晶を用いた平面型c軸ジョセフソン接合の作製と評価
- 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路
- NbN導波管型SISミクサの作製と性能評価(エレクトロニクス)
- マイクロ波フォトニクス用LiNbO_3光変調器のための超伝導昇圧回路の開発
- YBaCuO薄膜のマイクロ波モデリング
- YBCO薄膜の磁場侵入長と表面抵抗の評価
- サブミリ波帯超伝導SISミクサの開発
- SCE2000-12 / MW2000-76 DC反応性スパッタによるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製
- SCE2000-12 / MW2000-76 DC反応性スパッタによるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製
- 超伝導の基礎と応用 : ジョセフソン接合と高周波応答
- ISS2001第14回国際超電導シンポジウム
- 量子磁束を使ってコンピューティング
- 超伝導インターコネクションチップの構成と動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 3ノード超伝導ネットワークシステムのGbps級パケット制御