SCE2000-12 / MW2000-76 DC反応性スパッタによるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製
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概要
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Thz帯デバイス用材料開発を目的としてNbN/MgO/NbN多層膜のエピタキシャル成長を試み, その特性評価を行った.NbN薄膜はDC反応性スパッタ法により, またMgO薄膜はMgOターゲットを用いたRFスパッタ法によるバッファ層を介して, Mgターゲットを用いたDC反応性スパッタ法により成膜している.NbN/MgO/NbNエピタキシャル多層膜において, MgO膜厚を0〜240nm変化させて上部NbN薄膜のT_C, および抵抗率ρ_<20K>を評価したところ, 特性の劣化は見られず全てT_C≒15.7K, ρ_<20K>≒60μΩcmの良好な結果を示した.またエピタキシャル多層膜で構成したNbN/MgO/NbN SIS接合が, J_C=2.6kA/cm^2, V_g=5.8mV, V_<m4mV>=55mVの良好な電流-電圧特性を有することを示した.
- 2000-08-22
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