Bi単結晶を用いた平面型c軸ジョセフソン接合の作製と評価
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概要
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Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+x>単結晶表面上にc軸接合を作製し、c軸方向におけるイントリンシックジョセフソン効果を評価した。単結晶上に直径10〜100μm、高さ0.5〜1.2μmの柱状接合を作製し、酸素ドーピング制御によりTcを75〜93Kとした平面型デバイスを作製した。電流-電圧評価から、多数の枝分岐が観測され、その枝分岐特性から接合数は設計されたものにほぼ一致した。磁場およびRF応答からそれらの接合がジョセフソン接合として動作していることが確認された。また、YBCO 薄膜を用いて同様のデバイスを作製し、酸素量を減ずることにより、RSJ的な電流-電圧特性も得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-25
著者
-
安田 敬
九州工業大学・大学院情報工学研究院
-
安田 敬
九工大情報
-
安田 敬
九州工大 情報工
-
王 鎮
情報通信研究機構
-
王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
-
伊東 明彦
九工大情報工
-
鵜澤 佳徳
通信総合研究所関西先端研究センター
-
高野 脩三
九工大情報工
-
斗内 政吉
通信総合研究所関西先端研究センター
-
伊東 明彦
九州工業大学情報工学部
-
高野 脩三
九州工業大学情報工学部
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
-
斗内 政吉
阪大
-
安田 敬
九州工業大学
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