超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
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概要
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超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおける電磁波 (8-12GHz) 応答特性の実験結果について報告する。マイクロ波電力が零の場合、デバイスの微分抵抗曲線はAndreev反射モデルで計算した理論曲線と良い一致を示した。マイクロ波を照射したとき、"Shapiroステップ"とは異なる新しい電磁波誘起微分抵抗ピークが最大で2.5mVのバイアス電圧まで観測された。これらのピークの振幅と電圧周期はバイアス電圧とともに増大した。電圧周期はJosephson関係式2eV=mhvには相関がなく、照射電力 (P_<rf>) にも依存しなかったが、その電圧位置はP_<rf>の増加とともに高電圧側へシフトした。実験的に見出したこれらの新しいマイクロ波誘起ステップの多くの特徴は、既存のLC共振やマイクロ波誘起卜ンネリングでは説明できない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-28
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
-
斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
斉藤 敦
山形大学 工学部
-
鵜沢 佳徳
大学共同利用法人自然科学研究機構国立天文台
-
松下 剛
長岡技術科学大学工学部電気系
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所超電導研究室
-
松下 剛
長岡技術科学大学・工・電気系
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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