超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおける低周波ノイズパラメータの飽和特性
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概要
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これまで超伝導メソスコピックデバイス(超伝導体-constrictions-超伝導体 (S-c-S))デバイスを作製し, その準粒子電流特性を電子とホールの位相共役反射に基づくBTK理論により定量的に解析し, この理論の枠内でクリーンメタリック特性であると結論づけてきた。一方, これとは別にクリーン度を評価する診断法として1/fノイズ特性を評価し, Hoogeパラメータη=S_v(f)Af/I^2R^2 (欠陥(defect)によるキャリア密度の揺らぎに関連したパラメータ)とデバイス品質を示すQ値との関係について調べたきた。これまでのデバイス作製プロセスは, ベースNb膜表面が大気暴露されるため, 不純物が混入しやすいと考えられることから, 今回, 大気暴露しないプロセス(Nb/SiN/NbN三層連続成膜を用いた陽極酸化プロセス(SNAP))でデバイスを作製し, 低周波ノイズ特性を調べたので報告する。
- 1997-03-06
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
斉藤 敦
長岡技科大工学部電気系
-
松下 剛
長岡技科大工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技科大工学部電気系
-
関谷 一成
長岡技科大工学部電気系
-
姉崎 聡
長岡技科大工学部電気系
-
松下 剛
長岡技術科学大学・工・電気系
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