スタック型準一次元超伝導量子細線デバイスの作製と特性評価
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概要
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選択性ニオブ陽極酸化法 (SNAP) を用いたスタック型超伝導体-constrictions-超伝導体 (S-c-S) メソスコピックデバイスの作製法と特性について報告する。S-c界面のクリーン度を保つために、同一真空中においてNb/Al_2O_3多層膜を連続成膜した。デバイスの準粒子特性はAndreev反射モデルを用いて良く説明でき、S-c界面はBlonder. Tinkham. Klapwijk (BTK) 理論 [Phys. Rev. B25. 4515 (1982)] の範囲内で電子波の散乱ポテンシャルのない電気的にクリーンなものであることがわかった。S-c-Sシリーズアレイの準粒子特性が、1つのS-c-SコンタクトのBTKモデルで説明できたことは、アレイ中の各constrictionの特性が大体同じであることを示している。
- 1997-10-31
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
笹沼 拓也
長岡技術科学大学 電気系
-
笹沼 拓也
長岡技科大・工学部・電気系
-
中原 成稔
長岡技科大・工学部・電気系
-
中原 成稔
長岡技術科学大学 電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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