濱崎 勝義 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
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濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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齊藤 敦
山形大工
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石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
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岡上 久美
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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岡上 久美
長岡技術科学大学
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斉藤 敦
山形大学 工学部
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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川上 彰
情報通信研究機構
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斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
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島影 尚
独立行政法人情報通信研究機構
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吉田 隆
長岡技術科学大学工学部電気系
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学工学部電気系
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阿部 浩也
大阪大学接合科学研究所
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王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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末松 久幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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富永 隼賢
長岡技術科学大学工学部電気系
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末松 久幸
長岡技術科学大学
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富永 隼賢
長岡技術科学大学
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富永 隼賢
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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王 鎮
独立行政法人情報通信研究機構未来ICT研究センター
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末松 久幸
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
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川上 彰
独立法人通信総合研究所 関西先端研究センター 超伝導研究室
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王 鎮
独立法人通信総合研究所 関西先端研究センター 超伝導研究室
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鈴木 光夫
長岡技術科学大学
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余川 奈保美
長岡技術科学大学
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王 鎮
情通機構
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王 鎮
独立行政法人情報通信研究機構
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田原 修一
NEC基礎研究所
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島影 尚
情通機構関西
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大矢 銀一郎
宇都宮大学
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王 鎮
情通機構関西:阪府大ナノ研
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川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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高田 明雄
函館工業高等専門学校
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田中 未知
Nec基礎研究所
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入江 晃亘
宇都宮大学工学部付属ものづくり創成工学センター
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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鵜沢 佳徳
大学共同利用法人自然科学研究機構国立天文台
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三輪 淳
長岡技術科学大学工学部電気系
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笹沼 拓也
長岡技術科学大学 電気系
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松下 剛
長岡技術科学大学工学部電気系
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鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所超電導研究室
-
立花 昭彦
長岡技術科学大学
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福本 岳
長岡技術科学大学
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生田 利昭
長岡技術科学大学
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阿部 浩也
長岡技術科学大学
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名和 海明
長岡技術科学大学工学部電気系
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染谷 和樹
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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毛利 千里
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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松下 剛
長岡技術科学大学・工・電気系
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笹沼 拓也
長岡技科大・工学部・電気系
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入江 晃亘
宇都宮大学
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鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
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鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
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三崎 幸典
詫間電波高専電子工学科
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齊藤 敦
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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染矢 和樹
長岡技術科学大学
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高田 明雄
函館工業高等専門学校 電気電子工学科
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名和 海明
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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安井 寛治
長岡技科大
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河合 晃
長岡技術科学大学工学部電気系
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寺島 岳史
大阪大学接合研
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斉藤 敦
山形大学工学部
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小島 栄樹
函館工業高等専門学校電気工学科
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小島 栄樹
函館工業高専
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佐藤 信好
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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齋藤 敦
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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川上 彰
通信総合研究所関西支所 超電導研究室
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齋藤 敦
山形大工
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Kawai A
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo
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Kawai A
Okayama Univ. Graduate School Of Medicine And Dentistry Okayama
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小宮山 牧児
通信総合研究所関西先端研究センター
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石黒 孝
東京理科大学基礎工学部材料工学科
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神餘 等
長岡技術科学大学
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河合 晃
長岡技科大・工
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後藤 浩治
長岡技科大工学部電気系
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中瀬 太郎
長岡技科大工学部電気系
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斉藤 敦
長岡技科大工学部電気系
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姉崎 聡
長岡技科大工学部電気系
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後藤 浩治
長岡技術科学大学 電気系
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鈴木 清修
長岡技術科学大学 電気系
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中瀬 太郎
長岡技術科学大学 電気系
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斉藤 敦
独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター
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川上 彰
独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター
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斉藤 敦
独立法人通信総合研究所関西先端研究センター超伝導研究室
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ファチャムルン R.
長岡技術科学大学
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船曳 英男
長岡技術科学大学工学部電気系
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佐々木 正行
長岡技術科学大学工学部電気系
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茂木 欣之
長岡技術科学大学工学部電気系
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入江 勇太
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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寺島 岳史
大阪大学接合科学研究所
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神餘 等
長岡技術科学大学工学部電気系
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三河 通男
詫間電波高専情報通信工学科
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ラッタナット ファチャムルン
長岡技術科学大学工学部電気系
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小宮山 牧児
郵政省通信総合研究所関西支所
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秋山 裕一
長岡技術科学大学工学部
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川上 彰
独立法人 通信総合研究所 関西支所 超伝導研究室
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王 鎮
独立法人 通信総合研究所 関西支所 超伝導研究室
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竹内 由征
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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川上 彰
郵政省・通信総合研究所関西支所・超伝導研究室
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王 鎮
郵政省・通信総合研究所関西支所・超伝導研究室
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桝本 尚己
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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小黒 恭平
長岡技術科学大学
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三崎 幸典
詫間電波工業高等専門学校電子工学科
-
三河 通男
詫間電波工業高等専門学校電子工学科
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寺島 岳史
大阪大学
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中原 成稔
長岡技科大・工学部・電気系
-
中原 成稔
長岡技術科学大学 電気系
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小島 栄樹
函館工高専
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姉崎 聡
長岡技術科学大学電気系
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寺島 岳史
阪大接合研
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齋藤 敦
長岡技術科学大学
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須永 悟
長岡技術科学大学工学部電気系
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浅野 武史
長岡技術科学大学工学部電気系
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石田 弘樹
富山高等専門学校
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河合 晃
長岡技術科学大学工学部
-
三崎 幸典
詫間電波工業高等専門学校
-
川上 彰
独立行政法人情報通信研究機構
著作論文
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 希塩酸処理プロセスを用いたBi系SQUIDの作製法(ジョセフソン接合・材料,一般)
- S-c-Sにおけるサブハーモニックギャップ構造
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
- エピタキシャルNbN/MgO or AlN/NbNトンネル接合の1/fノイズ特性(超伝導エレクトロニクス)
- NbN系, Nb系, 及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性
- NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス)
- NbN系トンネル接合の1/fノイズ特性
- 自己平坦化法で作製したBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックのリターン電流の温度特性(電子デバイス, 一般)
- 塩酸で改質させた高温超伝導Bi-2212単結晶表面の物性評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- Bi-2212単結晶の合成と自己平坦化法によるスタック型素子作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 超伝導量子細線デバイスにおけるAndreev反射電流特性
- Nb-(Nb nanoconstriction)-NbNにおけるAndreev反射電流
- Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸処理プロセスによるBi-2212スタックの作製と特性評価
- NbNナノブリッジのミリ波誘起ステップ高さのアナログシミュレーション
- 自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製(薄膜プロセス・材料, 一般)
- スタック型準一次元超伝導量子細線デバイスの作製と特性評価
- 低分子有機EL素子の低周波ノイズ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性
- NbN/MgO/NbNトンネル接合におけるTLFの熱サイクル依存性
- ノイズ及びトンネル分光法によるAIN on NbN極薄(0.9-1.6nm)エピタキシャル膜の評価
- NbN(g)/Alナノブリッジ形ジョセフソンミクサの高周波特性
- Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- 自己平たん化法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックの作製及び直流ジョセフソン電流の温度特性(超伝導エレクトロニクス)
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるMgO薄膜の結晶性へのN_2+Arガスの効果
- 超伝導バリスティックコンタクトのショットノイズ特性
- 超伝導量子細線デバイスのSGSに関する一考察
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸を用いた両面加工法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_結晶内部への固有 Josephson 接合スタック作製プロセス