自己平たん化法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックの作製及び直流ジョセフソン電流の温度特性(超伝導エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)単結晶を用いた固有ジョセフソン接合の作製法として開発した自己平たん化法,及び固有ジョセフソン特性(臨界電流,リターン電流)の温度依存性について述べる.自己平たん化法では,ジョセフソン接合窓(スタック部)以外のBi-2212単結晶を希塩酸(⪯0.20%,pH⪰1.40)に渓流させ,絶縁体へ改質させた層を平たん化層として用いる.作製したBi-2212スタックの臨界電流及びリターン電流の温度依存性I_r(T)を測定した結果,臨界電流は高温(T>40K)でAmbegaokar-Baratoff理論から上方にずれていた.一方,リターン電流は約40Kから徐々に増加し始め,80K程度で極大値をとった後,臨界電流の温度曲線と一致(ヒステリシスが消滅)した.このI_r(T)特性を,Zappeモデルを用いて解析した.解析にはBi-2212のc-軸抵抗の温度特性(T>T_c)の現象論モデル(Heineモデル)から推定されるジョセフソンバリヤ層の抵抗の温度依存性を考慮した.このモデルI_r(T)特性の実験曲線の形を良く説明することができたが,パラメータの定量的な議論にはまだ課題が残されている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-01
著者
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学工学部電気系
-
岡上 久美
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
鈴木 光夫
長岡技術科学大学
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学工学部電気系
-
染谷 和樹
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
染矢 和樹
長岡技術科学大学
-
岡上 久美
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学 工学部 電気系
関連論文
- 低温積層蒸着法により作製した超伝導MgB_2薄膜の特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 希塩酸処理プロセスを用いたBi系SQUIDの作製法(ジョセフソン接合・材料,一般)
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおける異常な微分抵抗ピーク
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおけるテレグラフノイズ
- S-c-S系におけるサブギャップ構造の温度依存性
- S-c-Sにおけるサブハーモニックギャップ構造
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
- エピタキシャルNbN/MgO or AlN/NbNトンネル接合の1/fノイズ特性(超伝導エレクトロニクス)
- NbN系, Nb系, 及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性
- NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス)
- NbN系トンネル接合の1/fノイズ特性
- Ballistic- 及びDiffusive- ScS デバイスのショットノイズ特性
- Superconductor-constrictions-Superconductor (S-c-S)における異常な微分抵抗ピーク(2)
- 自己平坦化法で作製したBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックのリターン電流の温度特性(電子デバイス, 一般)
- 塩酸で改質させた高温超伝導Bi-2212単結晶表面の物性評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- Bi-2212単結晶の合成と自己平坦化法によるスタック型素子作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 超伝導量子細線デバイスにおけるAndreev反射電流特性
- Nb-(Nb nanoconstriction)-NbNにおけるAndreev反射電流
- 微弱磁界計測用SQUID (磁気--その記録・解析・計測)
- MgB_2薄膜の成長と超伝導特性に対するバッファー層効果
- Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸処理プロセスによるBi-2212スタックの作製と特性評価
- 低基板温度成長MgB_2薄膜の臨界電流密度向上に関する検討
- プラスチックフィルム上への高品質超伝導MgB_2薄膜の作製
- 低基板温度成長MgB_2薄膜の特性
- 磁性超伝導体RuSr_2GaCu_2O_8薄膜の作製
- NbNナノブリッジのミリ波誘起ステップ高さのアナログシミュレーション
- ジョセフソン・アナログシミュレ-タの試作
- スタック型Bi-2212ジョセフソンデバイスの温度特性(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製(薄膜プロセス・材料, 一般)
- スタック型準一次元超伝導量子細線デバイスの作製と特性評価
- 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおける低周波ノイズパラメータの飽和特性
- 低分子有機EL素子の低周波ノイズ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性
- NbN/MgO/NbNトンネル接合におけるTLFの熱サイクル依存性
- ノイズ及びトンネル分光法によるAIN on NbN極薄(0.9-1.6nm)エピタキシャル膜の評価
- NbN(g)/Alナノブリッジ形ジョセフソンミクサの高周波特性
- Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- 自己平たん化法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックの作製及び直流ジョセフソン電流の温度特性(超伝導エレクトロニクス)
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるMgO薄膜の結晶性へのN_2+Arガスの効果
- 積層型S-c-Sデバイスの電流輸送特性
- 超伝導バリスティックコンタクトのショットノイズ特性
- 超伝導量子細線デバイスのSGSに関する一考察
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸を用いた両面加工法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_結晶内部への固有 Josephson 接合スタック作製プロセス
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-11 触媒反応を用いて生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上へ堆積したZnOエピタキシャル膜の電気特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響(簿膜プロセス・材料,一般)
- Bi-2212固有接合から放射される電磁波の接合サイズ依存性(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- C-6-5 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析