スタック型Bi-2212ジョセフソンデバイスの温度特性(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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本稿は、Bi-2212単結晶を希塩酸(0.05-0.15%)に浸漬させて改質した絶縁層を平坦化層として利用する, いわゆる"自己平坦化法"を用いて作製したBi-2212スタックのジョセフソン特性の温度依存性を調べたものである。小面積スタックでは"Josephson phase diffusion"効果のため臨界電流I_cがAmbegaokar-Baratoff(AB)理論から下方へずれていくことが実験的にも理論的にも示されているが, 大面積スタックの場合に見られるAB理論から上方へのずれはまだ解明されていない。本稿では, ジョセフソン接合の現象論モデルであるRSCJモデルを基礎としたZappeモデルを用いて4.2-90Kのジョセフソン特性を解析し, 実験結果と比較検討した。その結果, 大面積スタックの場合のI_c-T特性のAB理論からのずれは、スタック内の電子透過率(T)が温度上昇とともに増大していくことに起因することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-04
著者
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
鈴木 光夫
長岡技術科学大学
-
余川 奈保美
長岡技術科学大学
-
ファチャムルン ラッタナット
長岡技術大学工学部電気系
-
鈴木 光夫
長岡技術大学工学部電気系
-
余川 奈保美
長岡技術大学工学部電気系
-
岡上 久美
長岡技術大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術大学工学部電気系
-
岡上 久美
長岡技術科学大学
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