S-c-Sにおけるサブハーモニックギャップ構造
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概要
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超伝導体-constrictions-超伝導体(S-c-S)を電界蒸発法を用いて作製した。本手法を用いることにより、constriction長とAndreev反射確率を容易に変化させることができる。実験から得られた準粒子電流特性とその温度依存性は、S-c界面でのsingle-Andreev反射を基礎とする拡張したBTK理論と定量的に一致した。しかし、中にconstrictionが形成される絶縁層(MgO)が薄い場合のトンネル特性のときに観測されたサブハーモニックギャップ構造(SGS)は、界面の散乱ポテンシャルZ〜0になったとき、multiple-Andreev反射を基礎としたOTBK 理論の予想とは異なり4.2KからT_<c,Nb>までの全ての温度領域で観測されなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-24
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
後藤 浩治
長岡技科大工学部電気系
-
中瀬 太郎
長岡技科大工学部電気系
-
後藤 浩治
長岡技術科学大学 電気系
-
笹沼 拓也
長岡技術科学大学 電気系
-
鈴木 清修
長岡技術科学大学 電気系
-
中瀬 太郎
長岡技術科学大学 電気系
-
笹沼 拓也
長岡技科大・工学部・電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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