エピタキシャルNbN/MgO or AlN/NbNトンネル接合の1/fノイズ特性(超伝導エレクトロニクス)
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概要
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MgO(100)単結晶基板上にエピタキシャル成長させたNbN/Mgo or AlN/NbN超伝導トンネル接合の1/fノイズを比較した結果,NbN/MgO/NbN接合では1/fノイズレベルは臨界電流密度J_C(ギャップ電圧における準粒子電流の立上りから評価)にほとんど依存しなかった.一方,NbN/AlN/NbN接合では1/fノイズレベルはJ_Cの減少とともに急激に増加した.これは,NbNとAlNは,厚膜の状態では結晶構造が異なるためAlNバリヤ膜厚が厚くなるにつれ下地結晶(NbN)の影響が弱まり,NbN/AlNのエピタキシャル成長が崩れてしまうためと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-01
著者
-
川上 彰
情報通信研究機構
-
王 鎮
独立行政法人情報通信研究機構未来ICT研究センター
-
齊藤 敦
山形大工
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
斉藤 敦
山形大学 工学部
-
石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
-
斉藤 敦
独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター
-
川上 彰
独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
-
王 鎮
情通機構
-
川上 彰
独立行政法人情報通信研究機構
-
王 鎮
独立行政法人情報通信研究機構
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