エピタキシャル窒化ニオブによるテラヘルツ帯ミキサの研究開発 (テラヘルツ技術特集) -- (テラヘルツ波リモートセンシング)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 川上 彰

  情報通信研究機構

• 武田 正典

  国立天文台

• 王 鎮

  通総研関西

• 王 鎮

  情通機構

関連論文

• 23pGD-4 正方格子超伝導ネットワークにおける臨界電流の異方性(23pGD 磁束量子系2(混合状態,磁束・渦糸状態ほか),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pHY-15 NbTiN超薄膜の電気輸送と超伝導特性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• CS-3-5 送信用超伝導フィルタの作製と広帯域・高速チューニングシステムの開発(CS-3.超伝導フィルタの応用領域拡大に向けた最新技術動向,シンポジウムセッション)
• 27aRG-5 正方格子超伝導ネットワークにおける特異な磁束侵入の磁気光学イメージング(磁束量子系1(電子状態・渦糸相図他),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 光キャビティ付超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の開発(接合及び材料,一般)
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
• B-12-14 SFQバッファメモリのためのMSMフォトダイオードの特性評価(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• CS-3-5 送信用超伝導フィルタの作製と広帯域・高速チューニングシステムの開発(CS-3.超伝導フィルタの応用領域拡大に向けた最新技術動向,シンポジウムセッション)
• 18pPSA-19 BSCCO薄膜の電磁波放射特性
• 18pPSA-18 BSCCO薄膜の時間領域THz分光
• 超伝導C-L-C共振器を用いた集中定数型フィルタと超伝導スパイラル共振器を用いたフィルタの設計・試作・評価
• 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路(エレクトロニクス)
• SFQバッファメモリのための1550nm帯光入力インターフェースの製作・評価(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• サファイアナノステップを用いた2次元APC導入MgB_2薄膜の作製と評価
• NbNを用いた磁束フロー型サブミリ波帯発振器の出力評価
• 21pXB-7 MgB_2 中性子検出器 II
• 28aZN-8 MgB_2 薄膜の表面インピーダンス
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
• SFQ光メモリのため光入力インターフェースの製作・評価
• SC-8-8 ジョセフソン伝送線路のタイミングジッタ評価(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• 大規模単一磁束量子論理回路設計基盤技術 (関西先端研究センター特集) -- (ナノ・デバイス技術--極限物質の新機能から情報通信技術へ)
• 準光学ログペリアンテナSISミクサ
• 30pXD-3 MgB_2 中性子検出器 I
• エピタキシャルNbN/MgO or AlN/NbNトンネル接合の1/fノイズ特性(超伝導エレクトロニクス)
• NbN系, Nb系, 及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性
• NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス)
• NbN系トンネル接合の1/fノイズ特性
• MgB_2薄膜を用いたジョセフソントンネル接合
• 共振器結合型ジョセフソンアレー発振器
• C-14-12 窒化ニオブ系THz帯導波管型SISミキサーのスケールモデル実験(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
• CS-7-1 窒化ニオブトンネル接合を用いたテラヘルツ帯SISミクサ(CS-7. 超伝導サブテラヘルツエレクトロニクス, エレクトロニクス2)
• 窒化ニオブによるサブミリ波帯受信機の開発
• テラヘルツ帯超伝導発振器と検出器に関する研究 (光COE特集)
• 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路
• NbN導波管型SISミクサの作製と性能評価
• NbN導波管型SISミクサの作製と性能評価(エレクトロニクス)
• 単結晶NbNを用いたサブミリ波帯SIS電磁波受信機の開発(マイクロ波超伝導/一般)
• 単結晶NbNを用いたサブミリ波帯SIS電磁波受信機の開発(マイクロ波超伝導/一般)
• SiOフォノン熱浴付きNbN-HEBミキサの特性評価
• エピタキシャル窒化ニオブによるテラヘルツ帯ミキサの研究開発 (テラヘルツ技術特集) -- (テラヘルツ波リモートセンシング)
• 28aPS-50 30Tパルスマグネットを用いたMgB_2薄膜の上部臨界磁場H_及びその異方性(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性
• SFQバッファメモリのための光インターフェースの検討(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)
• 26pBE-9 トランズモン型超伝導量子ビットの量子光学応答 : 三準位着衣状態の観測(実験)(26pBE 量子光学・量子情報,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24pBE-4 超伝導単一光子検出器を用いた量子状態の高忠実度波長変換実験(24pBE 量子通信・エンタングルメント・デコヒーレンス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 18pAF-4 NbN超薄膜の超伝導揺らぎと転移温度抑制機構(18pAF 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 18pAF-5 NbN超伝導薄膜のT_c近傍における非弾性散乱時間(18pAF 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26aED-2 可視域から通信波長帯へ周波数下方変換された二光子の非古典的干渉の観測(26aED 量子エレクトロニクス(量子光学・量子通信・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用(マイクロ波ミリ波、一般)
• 26aDA-5 非断熱的テラヘルツパルス励起によるBCS超伝導体Nb_Ti_xNにおけるヒッグスモードの観測(光誘起相転移(超伝導・磁性体・その他),領域5(光物性))
• 25aDC-5 エピタキシャルNbN超伝導ナノ細線における負の磁気抵抗(超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26pBB-1 通信波長帯における独立した光子間での二光子干渉実験(量子エレクトロニクス(量子光学・微小共振器・近接場光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24pYK-11 THz高周波特性および超高速光応答から見たBSCCOの擬ギャップ状態(24pYK 高温超伝導(輸送現象),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響(簿膜プロセス・材料,一般)
• 28aCA-8 窒化物超伝導ナノワイヤの超伝導-絶縁体転移(28aCA 超伝導・密度波,領域6(金属(液体金属・準結晶)・低温(超低温・超伝導・密度波)))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク