SFQ光メモリのため光入力インターフェースの製作・評価
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概要
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フォトニックルータにおいてバッファは必要不可欠な構成要素である.現在,光の高速性に見合った有効なデータストレージ技術はなく,ファイバ遅延線や光/電気信号変換+半導体メモリなどが研究開発で使用されている.我々は,光デバイスとの速度整合性,集積性などに着目し,単一磁束量子(SFQ)回路をメモリ媒体としたフォトニックバッファを提案する.SFQ回路は40Gb/sを上回る高速での動作に加え,低消費電力で動作することから高集積化が可能であるが,フォトニックバッファとして使用するためには,高速な光インターフェースの開発が不可欠である.本報告では,フォトニックルータの開発現状とSFQ回路の特長を述べ,SFQ回路への光入力インターフェースとして現在検討を進めているMSM(金属/半導体/金属)フォトダイオードの初期評価結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-09
著者
-
品田 聡
情報通信研究機構(NICT)
-
寺井 弘高
情報通信研究機構
-
王 鎮
NICT
-
和田 尚也
情報通信研究機構
-
宮崎 哲弥
情報通信研究機構
-
王 鎮
情報通信研究機構
-
和田 尚也
情報通信研究機構 超高速フォトニックネットワークグループ
-
品田 聡
独立行政法人情報通信研究機構 第一研究部門
-
品田 聡
情報通信研究機構
-
王 鎮
情通機構
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