SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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本研究は,光パケットスイッチのバッファメモリとして,低消費電力動作かつ高速なメモリ・論理演算が可能であるSFQ (Single Flux Quantum)回路を用いることを提案している.極低温において動作するSFQ回路の高速性を生かし,かつ冷凍器への熱流入を押さえるためには,光を用いた信号の入出力が有効であり,光信号とSFQ信号を相互に変換する光インターフェースの開発が重要である.本研究では,光入力インターフェースの光検出器として,SFQ回路とMCM (Multi Chip Module)実装が容易であるMSM (Metal/Semiconductor/Metal)ダイオードを用いることを提案しており,本報告ではInGaAs/InP基板上に製作したMSMダイオードの特性について報告する.
- 2007-01-22
著者
-
品田 聡
情報通信研究機構(NICT)
-
寺井 弘高
情報通信研究機構
-
王 鎮
NICT
-
宮崎 哲弥
(独)情報通信研究機構
-
和田 尚也
情報通信研究機構
-
宮崎 哲弥
情報通信研究機構
-
王 鎮
情報通信研究機構
-
和田 尚也
情報通信研究機構 超高速フォトニックネットワークグループ
-
品田 聡
独立行政法人情報通信研究機構 第一研究部門
-
品田 聡
情報通信研究機構
-
王 鎮
情通機構
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