NbNを用いたSFQ回路の10K動作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
臨界温度が約16KであるNbNを用いて10K付近で動作する単一磁束量子(Single flux quantum:SFQ)論理回路の作製を試みた。回路は接合数976JJで臨界電流のばらつきが±5%以下のNbN/AlN/NbNトンネル接合をベースに2inch Si基板上に作製された。SFQパルスの発生、伝播および検出を行う回路を作製し測定した結果、ほぼ10Kに近い9.8Kまで正常な動作が確認された。その他、Confluence BufferやT-Flip-Flopなどの基本セルの動作を確認し、最も規模の大きな回路として接合数105JJからなる8bit Shift Resisterの8.5Kでの動作に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-29
著者
関連論文
- パイプライン化したビットシリアル単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(ディジタル・一般)
- 23pGD-4 正方格子超伝導ネットワークにおける臨界電流の異方性(23pGD 磁束量子系2(混合状態,磁束・渦糸状態ほか),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pHY-15 NbTiN超薄膜の電気輸送と超伝導特性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27aRG-5 正方格子超伝導ネットワークにおける特異な磁束侵入の磁気光学イメージング(磁束量子系1(電子状態・渦糸相図他),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- C-8-5 単一磁束量子 2×2 Cross/Bar スイッチの 57GHz 動作
- C-8-4 SFQ論理回路におけるデジタルシミュレーションの計算精度の評価
- MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- B-12-14 SFQバッファメモリのためのMSMフォトダイオードの特性評価(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)