All-NbN準光学THz帯SISミクサ
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概要
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高臨界電流密度、高エネルギーギャップを持つNbN/AlN/NbN接合を用いたサブミリ波帯受信機の性能を理論と実験から検討した。タッカーの量子論的ミキシング理論に基づく受信機雑音温度の計算機シミュレーションを代表的なNbN接合のパラメータを用いて行った結果、約2THzまで3hv/K_B以下の雑音特性が実現されることを明らかにした。実験では300 GHz帯と1 THz帯の同調回路付き準光学型受信機の設計、試作を行い、雑音温度特性をY-ファクタ法により評価した。300 GHz帯受信機では、設計周波数である300 GHz付近で最小雑音温度136 K(DSB)が得られ、サブミリ波帯における低雑音特性を実証した。しかしながら、1 THz帯受信機では高い雑音温度特性を示し、761 GHzで2700K(DSB)であった。この結果は、同調回路を構成しているSiO上のNbN膜の高周波損失に起因していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-23
著者
-
川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
-
王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
鵜澤 佳徳
郵政省通信総合研究所関西支所
-
鵜沢 佳徳
大学共同利用法人自然科学研究機構国立天文台
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
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