超伝導ナノワイヤ単一光子検出器におけるダークカウントの物理的起源(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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我々は今回、超伝導ナノワイヤ単一光子検出器において発生するダークカウントの物理的なメカニズムの解明を目的として、素子の直流特性及び0.5Kから4.0Kの幅広い温度領域におけるダークカウントのバイアス電流依存性の測定を行った。ダークカウントの起源の候補としては、(i)Berezinskii-Kosterlitz-Thouless転移によって生じた磁束-反磁束対のunbinding及び、(ii)ナノワイヤのエッジ障壁を超えた単一磁束の侵入、の2つのメカニズムを考え詳細な解析を行った。その結果、磁束-反磁束対のunbindingが超伝導ナノワイヤ単一光子検出器におけるダークカウントの支配的な起源であることが明らかになった。
- 2011-10-05
著者
-
佐々木 雅英
情報通信機構
-
寺井 弘高
情報通信研究機構
-
藤原 幹生
情報通信研究機構
-
王 鎮
情通機構関西:阪府大ナノ研
-
三木 茂人
情通機構関西
-
三木 茂人
独立行政法人情報通信研究機構未来ICT研究センター
-
藤原 幹生
独立行政法人情報通信研究機構
-
佐々木 雅英
独立行政法人情報通信研究機構
-
王 鎮
独立行政法人情報通信研究機構未来ICT研究センター
-
佐々木 雅英
(独)情報通信研究機構
-
佐々木 雅英
情通機構
-
山下 太郎
独立行政法人情報通信研究機構
-
寺井 弘高
独立行政法人通信総合研究所
-
三木 茂人
情報研究機構神戸研究所
-
牧瀬 圭正
情報研究機構神戸研究所
-
佐々木 雅英
通信総合研究所基礎先端部門量子情報技術グループ
-
山下 太郎
情報通信研究機構
-
藤原 幹生
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
丘 偉
独立行政法人情報通信研究機構未来ict研究所
-
牧瀬 圭正
独立行政法人情報通信研究機構未来ICT研究所
-
三木 茂人
独立行政法人情報通信研究機構
-
寺井 弘高
独立行政法人情報通信研究機構
-
王 鎮
独立行政法人情報通信研究機構
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