高臨界電流密度NbN/AlN/NbNトンネル接合
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概要
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MgO単結晶基板を用いて、室温におけるNbN, AlN/NbNトンネル接合を作製した。1.5nm程度のトンネルバリア厚さをもつNbN/AlN/NbN接合では、8,000A/cm^2の高い臨界電流密度が得られた。基板加熱が行われていないのにもかかわらず、作製したNbN/AIN/NbNトンネル接合は、高いギャップ電圧(Vg=5mV)、急峻な準粒子電流の立ち上がり幅(△Vg=0.18mV)、及び低いサブギャップリーク電流(Vm=20mV)を示しており、良好なトンネリング特性を得たことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-20
著者
-
川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
-
王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
小宮山 牧児
通信総合研究所関西先端研究センター
-
鵜澤 佳徳
郵政省通信総合研究所関西支所
-
小宮山 牧児
郵政省通信総合研究所関西支所
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
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