DC反応性スパッタ法によるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製
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概要
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THz帯超伝導デバイス用材料開発を目的としてNbN/MgO/NbN多層膜のエピタキシャル成長を試み, その特性評価を行った.NbN薄膜はDC反応性スパッタ法により, またMgO薄膜はMgOターゲットを用いたRFスパッタ法による薄いバッファ層を介して, Mgターゲットを用いたDC反応性スパッタ法により成膜している.X線回折及び高分解TEM観察により, 作製したNbN/MgO/NbN多層膜がエピタキシャル成長していることを確認した.また中間層MgO薄膜の膜厚を0〜480nm変化させて上部NbN薄膜の転移温度T_C, 及び20Kにおける抵抗率_<ρ20K>を評価したところ, 特性の劣化は見られずすべてT_C≌15.7K, _<Ρ20K>≌60μΩcmの良好な結果を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-01
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