SCE2000-12 / MW2000-76 DC反応性スパッタによるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製
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概要
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THz帯デバイス用材料開発を目的としてNbN/MgO/NbN多層膜のエピタキシャル成長を試み、その特性評価を行った.NbN薄膜はDC反応性スパッタ法により、またMgO薄膜はMgOターゲットを用いたRFスパッタ法によるバッファ層を介して、Mgターゲットを用いたDC反応性スパッタ法により成膜している.NbN/MgO/NbNエピタキシャル多層膜において、MgO膜厚を0〜240nm変化させて上部NbN薄膜のT_c, および抵抗率p_<20k>を評価したところ、特性の劣化は見られず全てT_c≒15.7K、p_<20k>≒60μΩcmの良好な結果を示した.またエピタキシャル多層膜で構成したNbN/MgO/NbN SIS接合が、J_c=2.6kA/cm~2, V_g=5.8mV, V_<m4mV>=55mVの良好な電流-電圧特性を有することを示した.
- 2000-08-22
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