MgB_2薄膜を用いたジョセフソントンネル接合

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 2003-01-10

著者

• 寺井 弘高

  情報通信研究機構

• 川上 彰

  情報通信研究機構

• 島影 尚

  情通機構関西

• 齊藤 敦

  山形大工

• 寺井 弘高

  通信総合研究所

• 王 鎮

  通信総合研究所 関西先端研究センター

• 川上 彰

  通信総合研究所関西支所 超電導研究室

• 島影 尚

  通信総合研究所関西先端研究センター

• 齊藤 敦

  通信総合研究所関西先端研究センター

関連論文

• 23aHT-8 走査型パルスレーザー励起による超伝導検出器の位置依存性II(23aHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aHX-6 微細加工によるアメンボ型d-ドットの作製と評価II(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• パイプライン化したビットシリアル単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(ディジタル・一般)
• 20pHY-15 NbTiN超薄膜の電気輸送と超伝導特性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• CS-3-5 送信用超伝導フィルタの作製と広帯域・高速チューニングシステムの開発(CS-3.超伝導フィルタの応用領域拡大に向けた最新技術動向,シンポジウムセッション)
• as-grown MgB_2薄膜を用いたジョセフソン接合(デジタル,一般)
• 27pXB-11 広帯域テラヘルツ時間領域分光による超伝導体MgB_2薄膜の測定II(超高速現象,領域5,光物性)
• 24aYJ-4 広帯域テラヘルツ時間領域分光による超伝導体MgB_2薄膜の測定(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aWA-9 MgB2超伝導中性子検出素子の応答速度に関する考察(21aWA X線・中性子(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aTC-8 20psパルスレーザ励起によるMgB_2薄膜超伝導素子の高速熱応答の系統的測定(X線・粒子線(中性子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19aXB-3 MgB_2中性子検出器の熱ダイナミクスのシュミレーションと実験の比較(X線・粒子線(中性子),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pYK-10 MgB_2中性子検出器VII(23pYK X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pYK-6 MgB_2超伝導検出器の多素子化(X線・粒子線(中性子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aPS-21 微細加工によるアメンボ型d-ドット素子の作製と評価(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 25aPS-136 走査型パルスレーザー励起による超伝導検出器の位置依存性(領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• C-8-5 単一磁束量子 2×2 Cross/Bar スイッチの 57GHz 動作
• C-8-4 SFQ論理回路におけるデジタルシミュレーションの計算精度の評価
• 23aQE-13 2バンド超伝導体MgB_2薄膜の上部臨界磁場測定と解析(23aQE 磁束量子系2(THz波発振・ジョセフソン磁束・渦糸相図),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
• B-12-14 SFQバッファメモリのためのMSMフォトダイオードの特性評価(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• CS-3-5 送信用超伝導フィルタの作製と広帯域・高速チューニングシステムの開発(CS-3.超伝導フィルタの応用領域拡大に向けた最新技術動向,シンポジウムセッション)
• 超伝導C-L-C共振器を用いた集中定数型フィルタと超伝導スパイラル共振器を用いたフィルタの設計・試作・評価
• C-8-9 4x4単一磁束量子クロスバスイッチの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
• C-8-8 単一磁束量子タイムシフト入力型2x2スイッチの設計と動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
• C-8-10 単一磁束量子スローダウンバッファの設計
• 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路(エレクトロニクス)
• 単一磁束量子回路によるマイクロプロセッサの設計と動作実証(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
• SC-8-11 単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• SFQバッファメモリのための1550nm帯光入力インターフェースの製作・評価(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• サファイアナノステップを用いた2次元APC導入MgB_2薄膜の作製と評価
• NbNを用いた磁束フロー型サブミリ波帯発振器の出力評価
• 30pXD-2 MgB_2中性子検出器VI(30pXD X線・粒子線(中性子・粒子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-4 MgB_2中性子検出器V(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYS-1 MgB_2中性子検出器IV(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 12pTJ-8 MgB_2 中性子検出器 III(X 線・粒子線 : X 線・中性子線, 領域 10)
• 21pXB-7 MgB_2 中性子検出器 II
• SSPDアレー化のためのSFQ読み出し動作の実証(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• SC-8-9 受動配線を用いたSFQ回路の設計(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• 26pWQ-4 YBa_2Cu_3O_7薄膜を用いたd-dotの作製(26pWQ 磁束量子系II(ナノ構造・電子状態),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pWF-14 PLD法によるYBa_2Cu_3O_7薄膜を用いたdドット素子の作製とその評価(磁束量子系II(銅酸化物),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 28aZN-8 MgB_2 薄膜の表面インピーダンス
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• MSM光検出器集積型SFQ回路の光入力評価
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
• SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
• SFQ光メモリのため光入力インターフェースの製作・評価
• SC-8-8 ジョセフソン伝送線路のタイミングジッタ評価(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• NbN単一磁束量子(SFQ)回路の作製と10Kにおける動作特性
• 準光学ログペリアンテナSISミクサ
• 22pWH-8 37Tパルス磁場によるMgB_2スパッタ薄膜のH_測定とその異方性 : 2ギャップ超伝導理論による解析(パイロクロア・その他超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• SFQバッファメモリのための光インターフェースの検討 (フォトニックネットワーク)
• 30pXD-3 MgB_2 中性子検出器 I
• 24pWZ-8 走査型パルスレーザー励起による超伝導検出器の位置依存性III(24pWZ X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• エピタキシャルNbN/MgO or AlN/NbNトンネル接合の1/fノイズ特性(超伝導エレクトロニクス)
• NbN系, Nb系, 及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性
• NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス)
• NbN系トンネル接合の1/fノイズ特性
• SFQ論理回路を用いた4-bビット・スライス・アダーの設計(ディジタル・一般)
• SFQ論理回路を用いた4-bビット・スライス・アダーの設計
• SC-8-10 SFQデジタルシステム用メモリの開発(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• SC-8-7 SFQパケットスイッチ(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• C-8-13 SFQ 配線遅延のばらつきの論理シミュレーションへの導入可能性
• B-6-12 SFQ 2x2 クロスバースイッチの 50GHz 動作
• C-8-6 SFQ クロスバースイッチの静的タイミング解析と 50GHz 動作実証
• C-8-10 受動線路で接続されたSFQ回路の高速動作実験
• C-8-9 SFQクロスバースイッチの35GHz動作実証
• YBa_2Cu_3O_を用いたエッジ接合の中間層の検討
• MgB_2薄膜を用いたジョセフソントンネル接合
• 自己平坦化法で作製したBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックのリターン電流の温度特性(電子デバイス, 一般)
• Bi-2212単結晶の合成と自己平坦化法によるスタック型素子作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• 共振器結合型ジョセフソンアレー発振器
• C-8-13 小型超伝導コプレーナフィルタの開発
• C-8-11 小型超伝導フィルタの開発
• 小型超伝導コプレーナ導波路フィルタの開発
• NbNを用いたSFQ回路の10K動作
• C-14-12 窒化ニオブ系THz帯導波管型SISミキサーのスケールモデル実験(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
• CS-7-1 窒化ニオブトンネル接合を用いたテラヘルツ帯SISミクサ(CS-7. 超伝導サブテラヘルツエレクトロニクス, エレクトロニクス2)
• 窒化ニオブによるサブミリ波帯受信機の開発
• テラヘルツ帯超伝導発振器と検出器に関する研究 (光COE特集)
• 2つの分布定数型トンネル接合を用いたSISミクサ同調回路
• NbN導波管型SISミクサの作製と性能評価
• NbN導波管型SISミクサの作製と性能評価(エレクトロニクス)
• 単結晶NbNを用いたサブミリ波帯SIS電磁波受信機の開発(マイクロ波超伝導/一般)
• 単結晶NbNを用いたサブミリ波帯SIS電磁波受信機の開発(マイクロ波超伝導/一般)
• SiOフォノン熱浴付きNbN-HEBミキサの特性評価
• エピタキシャル窒化ニオブによるテラヘルツ帯ミキサの研究開発 (テラヘルツ技術特集) -- (テラヘルツ波リモートセンシング)
• 高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性
• SFQバッファメモリのための1550nm帯光入力インターフェースの製作・評価
• SFQバッファメモリのための光インターフェースの検討(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)
• 超伝導ナノワイヤ単一光子検出器におけるダークカウントの物理的起源(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用(マイクロ波ミリ波、一般)
• Si基板上における超伝導単一光子検出器の作製と特性評価(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
• 自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響(簿膜プロセス・材料,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク