窒化ニオブによるサブミリ波帯受信機の開発
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概要
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サブミリ波帯におけるNbN薄膜の優れた低損失特性は,薄膜の結晶性に大きく影響を受けるため,エピタキシアル成長した多層膜でデバイスを構成することが重要である.我々はNbN/MgO/NbN多層膜のエピタキシアル成長法及びすべてエピタキシアル多層膜で構成したNbN/MgO/NbNトンネル接合の作成プロセスを開発し,Nbギャップ周波数以上のサブミリ波帯デバイスヘの応用を試みている.本論文はエピタキシアルNbN/MgO/NbN多層腹の直流特性及びサブミリ波帯での表面抵抗,磁場侵入長の評価,エピタキシアルNbN/MgO/NbNトンネル接合の作成と特性評価.そして870GHz帯準光学SIS受信機の試作,性能評価について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-01
著者
-
川上 彰
情報通信研究機構
-
王 鎮
情報通信研究機構
-
鵜沢 佳徳
大学共同利用法人自然科学研究機構国立天文台
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
-
王 鎮
情通機構
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