NbN系,Nb系,及びBi-2212系トンネル接合の低周波ノイズ特性(エレクトロニクス)
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概要
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NbN系,Nb系トンネル接合及び,Bi-2212固有トンネル接合の低周波ノイズ特性の比較を行った.ギャップ電圧以上にバイアスした各種接合の1/fノイズパラメータηを比較したところNb接合とBi-2212固有接合は,ほぼ同程度であり.NbN接合は,それらよりも3桁程度高かった.また,Nb及び,NbN接合におけるηのAndreev反射確率A(E)依存性,logη &vprop: aA(E)^<-1> / exp(bA(E)^<-1> -1)のスケーリング則に従った.また,すべての接合においてギャップ電圧以下では,余剰な1/fノイズが観測された.余剰ノイズのピーク位置は,サブギャップ構造のdV/dIディップ位置に対応していた.このことから,余剰ノイズの発生は,Andreev反射現象に起因したものであると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-10
著者
-
川上 彰
情報通信研究機構
-
大矢 銀一郎
宇都宮大学
-
齊藤 敦
山形大工
-
斉藤 敦
山形大学工学部
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
入江 晃亘
宇都宮大学工学部付属ものづくり創成工学センター
-
斉藤 敦
山形大学 工学部
-
石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
-
岡上 久美
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
川上 彰
独立法人通信総合研究所 関西先端研究センター 超伝導研究室
-
王 鎮
独立法人通信総合研究所 関西先端研究センター 超伝導研究室
-
入江 晃亘
宇都宮大学
-
岡上 久美
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
-
王 鎮
情通機構
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