NbNホットエレクトロンボロメータの作製とIF帯域幅の評価
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概要
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THz帯で動作するヘテロダイン受信機の開発を目的として、NbN極薄膜を用いたホットエレクトロンボロメータ(HEB)を作製し、IF帯域幅の評価を行った。NbN薄膜は単結晶MgO基板上にDC反応性スパッタリングによって成膜し、厚さが2.8nmのNbN極薄膜では超伝導転移温度T_C=9.7K、20Kにおける抵抗率ρ_<20>=185μΩcmの優れた超伝導特性を示した。また、電子線回折像および高分解能TEM像等の観測による結晶性の評価では、NbN薄膜はMgO基板上にエピタキシャル成長しており、単結晶であることが分かった。HEB素子は4.2nmのNbNストリップとAu電極部、Alアンテナ部から構成され、ミリ波帯においてIE帯域幅を評価した結果、最大2.5GHzのIF帯域幅が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-29
著者
-
三木 茂人
情通機構関西
-
川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
-
賀谷 信幸
神戸大学大学院自然科学研究科
-
王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
大学共同利用法人自然科学研究機構国立天文台
-
三木 茂人
神戸大学大学院自然科学研究科
-
鵜沢 佳徳
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
-
賀谷 信幸
神戸大学大学院システム情報学研究科計算科学専攻
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