ノイズ及びトンネル分光法によるAIN on NbN極薄(0.9-1.6nm)エピタキシャル膜の評価
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概要
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MgO(100)基板上にエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合を成長させ、1/fノイズを測定した結果、1/fノイズレベルはバリア膜厚の減少(J_cの増加)とともに急激に減少し、デバイス品質パラメータQ値の減少とともに単調減少することを見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-19
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
-
石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
-
齊藤 敦
長岡技術科学大学・工学部・電気系
-
桝本 尚己
長岡技術科学大学・工学部・電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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