超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおける異常な微分抵抗ピーク
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概要
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我々の作製している全薄膜型Nb/MgO (or Al_2O_3)/Nbデバイスは, 絶縁層中にNb constrictionsを持つSuperconductor-constrictions-Superconductor (S-c-S)デバイスである。constrictionsは電界蒸発法(FE)で作成し, デバイスの準粒子特性はBTK理論の範囲内でバリスティック条件(constriction長, 径≦l_e, ξ; l_e:電子の平均自由行程, ξ:超伝導コヒーレンス長)を満たすことを報告してきた。電流-電圧特性は, 印加電界を上げていくことによりトンネル特性からクリーンメタリック特性まで変化し, Bogoliubov方程式を用いてその大筋は解析できている。しかし, 作製したS-c-Sデバイスの準粒子特性には, 超伝導ギャップ端においてBTK理論で説明できない異常な微分抵抗ピークが見られた。今回そのヒートサイクル特性(HC=4.2K〜400K)を調べ, この異常な微分抵抗ピークの起因について考察したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
後藤 浩治
長岡技科大工学部電気系
-
中瀬 太郎
長岡技科大工学部電気系
-
斉藤 敦
長岡技科大工学部電気系
-
松下 剛
長岡技科大工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技科大工学部電気系
-
松下 剛
長岡技術科学大学・工・電気系
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