Ballistic- 及びDiffusive- ScS デバイスのショットノイズ特性
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概要
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最近、細い超伝導ストリップ線の転移端 (transition - edge) を使ったホットエレクトロンボロメーター (Hot electron bolometer : HEB) ミクサの研究が活発化しているが、熱拡散, ノイズ等を考えると準一次元細線形状が望ましい。我々は、電界蒸発 (Field Evaporation : FE) 法を用いて超伝導体-constrictions-超伝導体(ScS)デバイスを作製し、そのノイズ特性の評価を行っている。これまでにバリスティック (ballistic) な系、即ちconstriction 長Lが電子の平均自由行程l_eより短いデバイスを作製・評価し、いくつかの知見を得てきた。今回、散逸をもつ (diffusive : l_e《L) 系でのノイズ特性を評価し、バリスティックな系との比較・検討を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
齊藤 敦
山形大工
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
斉藤 敦
山形大学 工学部
-
斉藤 敦
長岡技科大工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技科大工学部電気系
-
関谷 一成
長岡技科大工学部電気系
-
王 鎮
通信総研・関西先端研究センター
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