高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性
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概要
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THz帯でのミクサ応用を目的として、高臨界電流をもつ超伝導体-絶縁体-超伝導体(SIS)接合の研究が精力的になされている。今回、エピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合ヘマイクロ波を照射した時、これまで報告されていない新しい電磁波誘起dV/dI構造を観測した。超伝導ギャップ電圧を基準にとった場合のdV/dIディップの電圧間隔は、低電圧側に行くに従って広くなった。この電磁波誘起dV/dI構造についてAndreev反射電流とマイクロ波電流の相互作用の観点から考察する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
著者
-
川上 彰
情報通信研究機構
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
-
岡上 久美
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
川上 彰
独立法人 通信総合研究所 関西支所 超伝導研究室
-
王 鎮
独立法人 通信総合研究所 関西支所 超伝導研究室
-
岡上 久美
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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