Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)単結晶を用いた内部スタックの作製法には,FIB法,double-side fabrication processがある.Bi-2212内部スタックの利点はBi-2212/Au(or Ag)のコンタクト抵抗を取り除くことができることである.我々は,これまで希塩酸処理法を用いてBi-2212表面スタックを作製してきた.このプロセスの特徴の1つは希塩酸(pH≧1.4)に浸漬させた結晶が透明な絶縁体になることである.今回,この現象を利用し,接合窓・電極以外のBi-2212単結晶を全て改質したBi-2212内部スタックを作製したので報告する.このプロセスにより,77Kで明瞭なヒステリシスをもつ固有ジョセフソン接合を作製することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
島影 尚
独立行政法人情報通信研究機構
-
吉田 隆
長岡技術科学大学工学部電気系
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学工学部電気系
-
三輪 淳
長岡技術科学大学工学部電気系
-
名和 海明
長岡技術科学大学工学部電気系
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
-
名和 海明
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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