Nb-(Nb nanoconstriction)-NbNにおけるAndreev反射電流
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概要
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接合面積が0.2μm^2の絶縁特性を示すNb, MgO/NbNエッジサンドイッチに電界を加えることによりNb-(Nb nanoconstriction)-NbN short weak linksを作製し、その電流-電圧特性について検討した。MgO(厚さ〜7nm)絶縁層を介して二つのバンク(NbとNbN)に接続されるNb導電パスは、液体ヘリウム中において上記サンドイッチに電圧を印加することによって形成する。デバイスの準粒子特性の考察には、Blonder、TinkhamおよびKlapwijk(BTK)理論[Phys.Rev.B25,4515(1982)]を用いた。SNSを二つの独立な(相関をもたない)NSコンタクトと近似することにより、電流-電圧特性はBTK理論でよく説明しうることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-16
著者
-
阿部 浩也
大阪大学接合科学研究所
-
高田 明雄
函館工業高等専門学校
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
阿部 浩也
長岡技術科学大学
-
佐々木 正行
長岡技術科学大学工学部電気系
-
茂木 欣之
長岡技術科学大学工学部電気系
-
高田 明雄
函館工業高等専門学校 電気電子工学科
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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