低分子有機EL素子の低周波ノイズ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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EL素子では輝度特性の経時変化,すなわち劣化が重要な問題となっている。劣化の一つの原因としては,電極(ITO)表面と正孔輸送層(α-NPD)のぬれ性の悪さに起因する界面近傍の格子欠陥が考えられている。本研究では.ITO/α-NPD間に銅フタロシアニン(CuPc)バッファ層を挿入した場合の1/fノイズ特性の変化を調べた。その結果,CuPc層の有無に関わらず明瞭なローレンツバンプが観測され,バンプの周波数位置は,温度及びバイアス電圧によって変化した。その依存性は熱活性化モデルによりよく説明でき,評価した熱活性化エネルギーE_aは,CuPcバッファ層を有する素子のほうが1/2程度小さかった。これは,バッファ層によりぬれ性が改善され,これに起因する格子欠陥が改善された結果と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
-
岡上 久美
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
秋山 裕一
長岡技術科学大学工学部
-
岡上 久美
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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