超伝導量子細線デバイスにおけるAndreev反射電流特性

概要

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Ballisticな電子輸送を持つS-N(Semi.)-S'系における電流ー電圧(I-V)特性を特徴ずけるAndreev反射を考慮した理論のひとつにBTK理論がある。この理論では、メソスコピックな系を扱うときの理論的難しさをさけるためにいくつかのデフォルメされた仮定;i)Bogoliuvov方程式を用い、解として平面波を仮定、ii)オリフィスモデル(contact diameter<ℐe(電子の平均自由行程))、すなわちバリスティックモデルを仮定、iii)ペアポテンシャルstep関数近似し、δ関数的な等価バリアポテンシャル(Z)を仮定、を基に解析されている。しかし、実際の薄膜デバイスでの実験検証は充分とは言えない。本報告では、BTK理論の実験的検証の一方法として、Nb-nanoconstriction-NbNを用い、二つの電極のTcが異なることを利用してS-N-N'からS-N-S'系までのexcess currentについて評価を行っている。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-26