触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ガラス基板上にZnO結晶膜を成長させた。サファイア基板上と異なりガラス基板上への直接成長では結晶配向性や表面モフォロジーが大きく悪化するために低温バッファ一層の挿入により特性が改善出来ないか調べた。結果として、CVDによる低温バッファ一層を挿入することで結晶配向性の改善は見られなかったが、直接成長膜に比べ移動度が大きいZnO膜が得られた。
- 2012-10-19
著者
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
小柳 貴寛
長岡技術科学大学
-
片桐 裕則
長岡工業高専
-
安井 寛治
長岡技科大
-
神保 和夫
長岡工業高専
-
竹澤 和樹
長岡技術科学大学
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