ジメチルシランを用いたシリコン基板上への3C-SiCエピタキシャル成長
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概要
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水素で希釈したジメチルシランを原料に用い、トライオードプラズマCVD法により1100℃以下でSi基板上にSiC膜をエピタキシャル成長させた。空間的アフターブロー領域の電子温度、空間電位等のプラズマパラメータを高周波対応のラングミューアプローブを用いて測定し、グリッドバイアスによるそれらの特性を調べると共に、得られたSiC膜の結晶性、配向性を調べた。グリッド負バイアス時、グリッドにバイパスコンデンサを接続し、アフターグロー領域の空間電位の時間的変動を抑制することで、約0.2eVまで低温化できるが、このような低電子温度環境下で表面モフォロジーの良好なSiCエピタキシャル膜が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-30
著者
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
Hashim Abdul
長岡技術科学大学工学部電気系
-
Hashim Abdul
Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
-
木村 雅秀
長岡技術科学大学工学部電気系
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