有機けい素化合物を用いたトライオードプラズマCVD法による結晶SiC膜の成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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水素で希釈したジメチルクロロシランを原料に用い, トライオードプラズマCVD法により低温(<500℃)でシリコン基板上にシリコンカーバイト結晶を成長させた。空間的アフターグロー領域の電子温度, 空間電位等のプラズマパラメータを高周波対応ラングミュアプローブを用いて測定し, グリッドバイアスによるそれらの特性を調べると共に, 得られたシリコンカーバイト膜の結晶性との相関を調べた。グリッド零バイアスおよび負バイアス時, アフターグロー領域の電子温度は, 1 eV以下と低く, 結晶質のシリコンカーバイト膜が得られた。また, 水素希釈率が高いほど塩素原子の取込みは少なく, また原料中の過剰な炭素の引抜きも効果的に行われ化学量論組成の結晶シリコンカーバイト膜が得られた。更に得られた膜の結晶性は, 水素希釈率が高く, プラズマ空間電位の最も低いグリッドバイアス条件下で最も良好になった。
- 1998-01-25
著者
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