DMSを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温エピ成長
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概要
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ジメチルシランを原料に用い、トライオードプラズマCVD法によりSi基板上にシリコンカーバイド(3C-SiC)の低温エピタキシャル成長を試みた。プラズマにより励起した高密度水素ラジカルによりメチル基・水素の引き抜きをはかった結果、900℃の低温からエピタキシャル成長することが分かった。また、成長の活性化エネルギーは約48kcal/molとなり、プラズマを用いない減圧CVD法に比べ約25kcal/mol小さな値となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
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