C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
齋藤 健次
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
鶴間 隆一
長岡技術科学大学工学部電気系
-
鶴間 隆一
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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