C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
井上 泰宣
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒田 朋義
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
西山 洋
長岡技術科学大学
-
須藤 晴紀
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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