高田 雅介 | 長岡技術科学大学電気系

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概要

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• 長岡技術科学大学電気系の論文著者

関連著者

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学電気系

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学工学部

• 高田 雅介

  東京大学工学部

• 石井 守

  日本セメント(株)中央研究所

• 柳田 博明

  東京大学工学部 学術振興会ロンドン研究連絡センター 前環境安全研究センター. 元先端科学技術研究センター

• 柳田 博明

  東京大学工学部

• 石井 守

  日本セメント(株)

• 山下 努

  長岡技術科学大学工学部

• 柳田 博明

  東京大学工学部工業化学科

• 山下 努

  長岡技術科学大学

• 山岸 千丈

  日本セメント(株)

• 山下 努

  東北大学電気通信研究所

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校 電気工学科

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校

• 下嶋 浩正

  日本セメント

• 塚本 惠三

  日本セメント(株)

• 片桐 裕則

  長岡工業高専

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 深田 祐介

  長岡技術科学大学電気系

• 三浦 仁嗣

  長岡技術科学大学

• 片桐 裕則

  長岡工高専

• 成田 克

  山形大学工学部

• 渡辺 裕一

  長岡技術科学大学電気系

• 山岸 千丈

  日本セメント(株)中央研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 伊藤 隆

  東北大学電気通信研究所

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 伊藤 隆

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 安部 和貴

  長岡技術科学大学電気系

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 荻原 智明

  長岡技術科学大学

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 成田 克

  山形大学

• 山下 努

  東北大学電気通信建研究所

• 齋藤 健次

  長岡技術科学大学

• 下嶋 浩正

  日本セメント(株)中央研究所

• 井上 泰宣

  長岡技術科学大学

• 成田 克

  九州工業大学工学部

• 末光 眞希

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 黒田 朋義

  長岡技術科学大学

• 神保 和夫

  長岡工業高等専門学校

• 大島 穣

  長岡技術科学大学工学部

• 西山 洋

  長岡技術科学大学

• 鯉沼 秀臣

  東京工業大学

• 大島 穣

  長岡技術科学大学

• 金丸 哲史

  長岡技術科学大学

• 岡元 智一郎

  長岡技術科学大学 電気系

• 河合 晃

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 岡本 祥一

  長岡技術科学大学

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学

• 末光 眞希

  東北大通研

• 前田 孝雄

  長岡技術科学大学

• 山下 努

  弘前大 理工

• 牧野 雄一郎

  長岡技術科学大学工学部

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 朝野 章

  長岡技術科学大学

• 原島 正幸

  長岡技術科学大学

• 田村 和之

  長岡技術科学大学

• 須藤 晴紀

  長岡技術科学大学

• 田村 和之

  長岡技術科学大学 工学部 電気系

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学電気系

• 塚本 惠三

  日本セメント(株)中央研究所

• 牧野 雄一郎

  長岡技術科学大学電気系

• 原島 正幸

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 松田 元秀

  長岡技術科学大学

• 河合 晃

  長岡技術科学大学工学部

• 神保 和夫

  長岡工業高専

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大石 潔

  長岡技術科学大学

• 大見 忠弘

  東北大学

• 橋本 誠司

  群馬大学

• 久保田 弘

  熊本大学

• 塚本 恵三

  日本セメント(株)中央研究所

• 片山 恵一

  秩父セメント(株)ファインセラミックス本部

• 中島 健介

  長岡技術科学大学

• 柳田 博明

  東京大学工学部・環境安全研究センター

• 齋藤 健

  長岡技術科学大学

• 呉 龍洙

  長岡技術科学大学電気系

• 岩井 裕

  長岡工高専

• 小坂 光二

  熊本大学

• 久保田 弘

  熊本大学工学部

• 橋本 誠司

  群馬大学 工学部

• 大谷 孝史

  長岡技術科学大学

• 上村 篤嗣

  長岡技術科学大学

• Noguchi Yutaka

  Department Of Machine Intelligence And System Engineering Intelligent System Design Laboratory Tohok

• ハニフ モハマド

  長岡技術科学大学工学部

• 新保 和夫

  長岡工業高等専門学校

• 柳田 博明

  東京大学工学部:東京大学環境安全センター

• 松田 元秀

  岡山大学環境管理センター

• 栗本 大詩

  長岡技術科学大学

• 古曵 重美

  長岡技術科学大学技術開発センタ-

• 陸 鴻

  長岡技術科学大学

• 永田 一志

  三菱電機株式会社ulsi開発研究所

• 柳 在相

  長岡技術科学大学電気系

• 熊谷 武司

  長岡技術科学大学工学部電気系

• ハニフ モハマド

  長岡技術科学大学

• Huybrechts Ben

  長岡技術科学大学工学部電気系 :(現)ベルギー・フランダース政府企業誘政局

• 岩井 裕

  長岡技術科学大学

• 石井 守

  長岡技術科学大学

• 栗本 大詩

  長岡技術科学大学 工学部 電気系

• 塚本 恵三

  日本セメント(株)

• 中島 健介

  山形大学大学院理工学研究科

• 小松 高行

  長岡技術科学大学化学系

• 小坂 光二

  熊本テクノロジー

• 菱田 俊一

  物材機構

• 菱田 俊一

  東京大学工学部工業化学科 : (現)東京大学理学部化学科

• 菱田 俊一

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 宮口 孝司

  新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室

• 鯉沼 秀臣

  東京工業大学工業材料研究所

• 中島 健介

  弘前大学理工学部

• 柳田 薄明

  東大

• 栗田 学

  石川島播磨重工業(株)技術研究所

• 坪根 大輔

  東京工業試験所

• 江良 正範

  長岡技術科学大学

• 野毛 悟

  長岡技術科学大学

• 今井 宏治

  長岡技術科学大学工学部化学系

• 田中 修

  長岡技術科学大学工学部化学系

• 松下 和正

  長岡技術科学大学工学部化学系

• 松下 和正

  長岡技術科学大学環境システム工学

• 山田 覚

  長岡工業高等専門学校

• 永田 一樹

  長岡技術科学大学

• 浜上 寿一

  長岡技術科学大学電気系

• 塩沢 正行

  東京大学薬学部

• 成田 賢一

  東京大学工学部

• 藤田 勇三郎

  東京大学工学部

• 水野 峰男

  (財)ファインセラミックスセンター

• 秋葉 徳二

  秩父セメント(株)ファインセラミックス本部

• ジョング ミンニョク

  長岡技術科学大学

• 小坂 光二

  テック・コンシェルジェ熊本

• チョング ニョク

  長岡技術科学大学

• 野口 祐二

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 田原 将巳

  長岡技術科学大学工学部

• 永田 一志

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 永田 一志

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 尾辻 美紅

  長岡技術科学大学

• 岡本 祥一

  長岡技科大工

• 高橋 和希

  長岡技術科学大学

• 瀧 健介

  長岡技術科学大学

• 佐藤 健

  新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室

• 河合 晃

  三菱電機(株)ULSI研究所

• 菱田 俊一

  科学技術庁無機材質研究所

• 岩佐 和孝

  長岡技術科学大学電気系

• 須藤 儀一

  秩父セメント(株)中央研究所

• 田原 将巳

  長岡技術科学大学

• 齊藤 健次

  長岡技術科学大学

• 築地 正俊

  長岡技術科学大学

• グイエン フォン

  長岡技術科学大学

• 宮山 勝

  東京大学工学部工業化学科

• 松村 道雄

  大阪大学基礎工学部

• 松平 繁幸

  大阪大学基礎工学部

• 坪村 宏

  大阪大学基礎工学部

• 木島 衛

  東京大学工学部工業化学科

• 杉山 達夫

  東京大学工学部工業化学科

• 坪根 大輔

  東京大学工学部工業化学科

• 鶴間 隆一

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 山岸 千丈

  太平洋セメント(株)

• 高森 剛

  Ibm(株)トーマスj. ワトソン研究所

• 岡本 祥一

  長岡技術科学大学:(現)長岡工業高等専門学校

• 鶴間 隆一

  長岡技術科学大学電気系

• 小松 高行

  長岡技術科学大学

• 三浦 伸一

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 松下 和正

  長岡技術科学大学 環境建設系

• 水野 峰男

  (財)ファインセラミックスセンター 材料技術研究所

• 野口 祐二

  セラミックス編集委員

• 野口 祐二

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 公田 博三

  ダイヤモンド社情報局

• 下嶋 浩正

  日本セメント(株)

• 友沢 稔

  レンセレアー工科大学

• ACOCELLA John

  レンセレアー工科大学

• WATSON E.

  レンセレアー工科大学

• 栗田 学

  石川島はりま重工業技研基礎化学部

• 石原 哲

  三井金属鉱業(株)中央研究所

• 伊藤 淳

  長岡技術科学大学

• 坪村 宏

  大阪大学

• 湊 賢一

  長岡技術科学大学工学部

• 根崎 大

  長岡技術科学大学工学部

• 菊池 暁

  長岡技術科学大学

• 引津 禎彦

  長岡技術科学大学

• 瀧 健介

  長岡技術科学大学:(現)グンゼ(株)滋賀研究所

• 須藤 儀一

  秩父セメント

• 砂取 久哉

  長岡技術科学大学電気系

• 川上 圭一

  東京大学工学部工業化学科

• 砂取 久哉

  長岡技術科学大学電気系:(現)ケーブル・アンド・ワイヤレスidc(株)

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学工学部

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 片山 恵一

  秩父セメント(株)中央研究所

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学工学部

• 松下 和正

  長岡技術科学大学

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著作論文

• Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• 中間CIP法による高温超伝導体の磁気シールド特性の向上
• 高温超伝導セラミックス薄膜の新しいデバイスプロセス(超伝導セラミックス)(導電性セラミックス)
• 融液冷却法における酸化物高温超伝導体Ba-Y-Cu-Oの生成機構
• 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
• パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 新しいパラジウム薄膜水素検知器
• Nb_2O_5を添加したTiO_2焼結体の水の陽極光酸化への応用
• ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• 615 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの高速モーション制御
• 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの連続軌跡追従制御系の構成法
• タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
• 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• Fe_4N 焼結体の作製に関する一試行
• モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
• 原子間力顕微鏡を用いた無機材料とポリマー間の接着強度の測定法
• レジスト微細パタ-ン内の熱応力分布と接着特性
• N_2/O_2雰囲気中でスパッタしたSnO_2薄膜の結晶構造とガス感度特性
• r.f.マグネトロンスパッタリング法による酸化バナジウム薄膜の作製
• 酸化スズスパッタ薄膜におけるガス感度特性と粒子配向性の相関性
• ラマンシフターの製作と第三次高調波発生法への応用
• セラミックスにおけるホットスポット現象を利用した酸素センサ
• C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-7 パルス供給Hot-mesh CVD法によるGaN成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
• Nb_2O_5の添加によるアナターゼル-ルチル転移の抑制
• C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
• Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
• CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
• C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)
• 酸化ビスマスの多形転移と比抵抗
• 色素増感光電池用の酸化亜鉛多孔質電極
• 機能性セラミック材料
• 酸化物半導体の導電率に及ぼすガス吸着効果
• 今年の米国におけるセラミックスの研究動向
• 多孔質セラミック半導体の研究
• 複合構造をつくる (電子セラミックス開発の手法)
• セラミックス研究の動向--米国窯業学会年会発表を中心として
• TiO_2焼結体の電気伝導におよぼすAl_2O_3およびNb_2O_5の添加効果
• Al_2O_3を添加したZnO焼結体の電気伝導度
• ZnOバリスターの劣化現象とトラップ準位(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
• ICTS法によるZnOバリスターのトラップ準位の検出と評価(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
• C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
• 接触角法により測定した遷移金属薄膜の表面自由エネルギ-の分散及び極性成分
• この人にきく
• 多結晶YBa_2Cu_3O_超伝導体の局所臨界電流密度の磁場依存性I-測定法
• セラミック超電導材料
• C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• VAMASプロジェクトとその活動状況
• 遷移金属薄膜上に形成したBaTiO_3薄膜の熱処理時の接着挙動
• 酸化物薄膜中の酸素深さ方向分布定量分析
• 準結晶のキャラクタリゼ-ション
• SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-6 MMGeを用いたSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 多量の水を含む Na_2O・3SiO_2 ガラスのガラス転移点
• センサー素材としての多孔質酸化亜鉛に対するAl2O3とLi2Oの同時添加効果
• Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超伝導酸化物の構造と物性
• YBa2Cu3O7-y-TbBa2Cu3Ozの超伝導特性
• 管状超伝導体の磁気シールド特性の形状依存性
• Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体における磁束の侵入
• 粒子配向超伝導体の磁気シールド特性
• Y-Ba-Cu-O系高温超伝導体における磁束の侵入と磁束密度分布
• C-6-2 Si(001)上でのモノメチルゲルマンの反応過程(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
• TiO_2を添加したBaTiO_3多結晶体における液相生成と直流導電率
• 高温超伝導線の微細構造及び臨界電流密度に及ぼす赤熱点の効果
• プロセス : 新規プロセス-通電加熱法
• Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系セラミックスの熱処理による超伝導性の低下
• GdBa2Cu3O7-xセラミクスの臨界電流密度
• Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-Oセラミックスの作製プロセスと超伝導特性
• ルチルの焼結および電気伝導度に及ぼすNb2O5添加の影響
• 高温超伝導体の磁気シールド特性
• 高温超伝導体の磁気シールド特性
• 高温超伝導厚膜を用いた磁気シールドの作製
• La添加BaTiO_3セラミックス線材のホットスポット現象
• 長岡技術科学大学における実務訓練 : 元祖インターンシップ(インターンシップ)

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