大谷 孝史 | 長岡技術科学大学

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概要

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• 長岡技術科学大学の論文著者

関連著者

• 大谷 孝史

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 黒田 朋義

  長岡技術科学大学

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 三浦 仁嗣

  長岡技術科学大学

• 西山 洋

  長岡技術科学大学

• 姉埼 豊

  長岡技術科学大学

• 姉崎 豊

  長岡技術科学大学

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 加藤 孝弘

  長岡技術科学大学

• 須藤 晴紀

  長岡技術科学大学

• 浅野 翔

  長岡技術科学大学

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 成田 克

  山形大学

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技科大

• 成田 克

  山形大学工学部

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 末光 眞希

  東北大通研

• 大谷 孝

  長岡技術科学大学

• 加藤 有行

  山形大学工学部

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著作論文

• Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-8 SiC/Ge・SiCナノドット/Si c(4x4)構造からの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
• 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製 (第31回表面科学学術講演会特集号(1))
• 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製

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