Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Si基板上ヘモノメチルゲルマン(MMGe:GeH_3CH_3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い,形成したドット層に対して走査型トンネル顕微鏡(STM)及びX線光電子分光(XPS)測定を行った.その結果を基に,Ge・SiCドット層を平坦な層状であると仮定した二層モデルを用いてGeとSiCドット数の比を評価したが,ドットの形状を反映した正確な解析ではなかった.そこで今回ナノドット層について半球状構造を仮定し,STMおよびXPS測定結果を用いた新たな構造解析を行った.その結果,ナノドットの平均高さは2.68nm,Geナノドット対SiCナノドットの比はおよそ1:2.4であると見積もられた.
- 2009-10-22
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒田 朋義
長岡技術科学大学
-
大谷 孝史
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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