ルチルの焼結および電気伝導度に及ぼすNb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>添加の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The effects of addition of Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> on rutile have been investigated by electrical measurements, XRD and SEM. The amount of additive and sintering temperatures affect greatly properties of sintered bodies. The specimens with small amounts of Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> sintered at high temperatures show the inhibition of sintering and the increased electrical conductivity. These phenomena were explained in terms of the principle of controlled valency.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
片山 恵一
秩父セメント(株)ファインセラミックス本部
-
秋葉 徳二
秩父セメント(株)ファインセラミックス本部
-
須藤 儀一
秩父セメント(株)中央研究所
-
柳田 博明
東京大学工学部 学術振興会ロンドン研究連絡センター 前環境安全研究センター. 元先端科学技術研究センター
-
須藤 儀一
秩父セメント
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
柳田 博明
東京大学工学部
関連論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 中間CIP法による高温超伝導体の磁気シールド特性の向上
- 高温超伝導セラミックス薄膜の新しいデバイスプロセス(超伝導セラミックス)(導電性セラミックス)
- 融液冷却法における酸化物高温超伝導体Ba-Y-Cu-Oの生成機構
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 新しいパラジウム薄膜水素検知器
- Nb_2O_5を添加したTiO_2焼結体の水の陽極光酸化への応用
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 615 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの高速モーション制御
- 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの連続軌跡追従制御系の構成法
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- KF融解塩による高純度ムライト焼結体の腐食
- 3G01 アルカリ金属フッ化物の混合融解塩中でのムライト焼結体の腐食挙動
- 1C20 コーディエライト粉末の合成と焼結
- ムライトの焼結特性に及ぼす希土類酸化物添加の影響
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- Fe_4N 焼結体の作製に関する一試行
- モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- 原子間力顕微鏡を用いた無機材料とポリマー間の接着強度の測定法
- レジスト微細パタ-ン内の熱応力分布と接着特性
- ゾル-ゲル法によるMgO添加ムライト/ZrO_2複合微粉末の合成と焼結
- ZrO_2強靱化ムライトセラミックスの焼結と微構造
- 2B21 コロイダルシリカと Al 塩水溶液からのムライト微粉末の合成
- La_Sr_xMnO_3の焼結と電気伝導度
- N_2/O_2雰囲気中でスパッタしたSnO_2薄膜の結晶構造とガス感度特性
- r.f.マグネトロンスパッタリング法による酸化バナジウム薄膜の作製
- 酸化スズスパッタ薄膜におけるガス感度特性と粒子配向性の相関性
- ラマンシフターの製作と第三次高調波発生法への応用
- セラミックスにおけるホットスポット現象を利用した酸素センサ
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 パルス供給Hot-mesh CVD法によるGaN成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
- Nb_2O_5の添加によるアナターゼル-ルチル転移の抑制
- C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)
- 酸化ビスマスの多形転移と比抵抗
- 色素増感光電池用の酸化亜鉛多孔質電極
- 機能性セラミック材料
- 酸化物半導体の導電率に及ぼすガス吸着効果
- 今年の米国におけるセラミックスの研究動向
- 多孔質セラミック半導体の研究
- 複合構造をつくる (電子セラミックス開発の手法)
- セラミックス研究の動向--米国窯業学会年会発表を中心として
- TiO_2焼結体の電気伝導におよぼすAl_2O_3およびNb_2O_5の添加効果
- Al_2O_3を添加したZnO焼結体の電気伝導度
- ZnOバリスターの劣化現象とトラップ準位(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
- ICTS法によるZnOバリスターのトラップ準位の検出と評価(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 接触角法により測定した遷移金属薄膜の表面自由エネルギ-の分散及び極性成分
- この人にきく
- 多結晶YBa_2Cu_3O_超伝導体の局所臨界電流密度の磁場依存性I-測定法
- セラミック超電導材料
- C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- VAMASプロジェクトとその活動状況
- 遷移金属薄膜上に形成したBaTiO_3薄膜の熱処理時の接着挙動
- 酸化物薄膜中の酸素深さ方向分布定量分析
- 準結晶のキャラクタリゼ-ション
- SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-6 MMGeを用いたSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 多量の水を含む Na_2O・3SiO_2 ガラスのガラス転移点
- センサー素材としての多孔質酸化亜鉛に対するAl2O3とLi2Oの同時添加効果
- Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超伝導酸化物の構造と物性
- YBa2Cu3O7-y-TbBa2Cu3Ozの超伝導特性
- 管状超伝導体の磁気シールド特性の形状依存性
- Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体における磁束の侵入
- 粒子配向超伝導体の磁気シールド特性
- Y-Ba-Cu-O系高温超伝導体における磁束の侵入と磁束密度分布
- C-6-2 Si(001)上でのモノメチルゲルマンの反応過程(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- TiO_2を添加したBaTiO_3多結晶体における液相生成と直流導電率
- 高温超伝導線の微細構造及び臨界電流密度に及ぼす赤熱点の効果
- プロセス : 新規プロセス-通電加熱法
- Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系セラミックスの熱処理による超伝導性の低下
- GdBa2Cu3O7-xセラミクスの臨界電流密度
- Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-Oセラミックスの作製プロセスと超伝導特性
- ルチルの焼結および電気伝導度に及ぼすNb2O5添加の影響
- 高温超伝導体の磁気シールド特性
- 高温超伝導体の磁気シールド特性
- 高温超伝導厚膜を用いた磁気シールドの作製
- La添加BaTiO_3セラミックス線材のホットスポット現象
- 長岡技術科学大学における実務訓練 : 元祖インターンシップ(インターンシップ)