タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いて堆積したAlドープZnO(AZO)膜を水素プラズマアニール処理することで、抵抗率の低減と基板面内分布の改善効果が見られることを見出してきた。加熱金属触媒体の表面反応を用いると水素ガスが高効率に分解し、放電を用いた場合に比べ1桁以上高密度の水素ラジカルが生成出来る。そこで今回、AZO膜の更なる低抵抗化を目指して、加熱したタングステンメッシュ表面で生成した水素ラジカルによる水素アニールの効果を調べた。その結果、メッシュ温度1100-1300℃においてはキャリア密度の増大とHall移動度の向上が見られたが、メッシュ温度1400℃以上では、結晶性の悪化とキャリア密度の大幅な減少が見られた。
- 2009-10-22
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
大島 穣
長岡技術科学大学工学部
-
田原 将巳
長岡技術科学大学工学部
-
ハニフ モハマド
長岡技術科学大学工学部
-
新保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
大島 穣
長岡技術科学大学
-
田原 将巳
長岡技術科学大学
-
ハニフ モハマド
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学工学部
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
-
安井 寛治
長岡技術科学大学工学部
-
片桐 裕則
長岡工業高専
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