黒木 雄一郎 | 長岡技術科学大学工学部
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概要
関連著者
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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高田 雅介
長岡技科大
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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片桐 裕則
長岡工業高専
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片桐 裕則
長岡工高専
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深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
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神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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大島 穣
長岡技術科学大学工学部
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三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
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大島 穣
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学工学部
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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成田 克
九州工業大学工学部
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朝野 章
長岡技術科学大学
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田村 和之
長岡技術科学大学
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田村 和之
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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神保 和夫
長岡工業高専
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ハニフ モハマド
長岡技術科学大学工学部
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新保 和夫
長岡工業高等専門学校
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
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陸 鴻
長岡技術科学大学
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ハニフ モハマド
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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齋藤 健次
長岡技術科学大学
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宮口 孝司
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
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山田 覚
長岡工業高等専門学校
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小前 泰彰
長岡技術科学大学
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末光 眞希
東北大通研
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田原 将巳
長岡技術科学大学工学部
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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尾辻 美紅
長岡技術科学大学
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高橋 和希
長岡技術科学大学
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佐藤 健
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
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田原 将巳
長岡技術科学大学
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小前 泰彰
長岡技術科学大学電気系
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齊藤 健次
長岡技術科学大学
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築地 正俊
長岡技術科学大学
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グイエン フォン
長岡技術科学大学
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技術科学大学工学部
-
安井 寛治
長岡技術科学大学工学部
著作論文
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)