中澤 日出樹 | 弘前大学

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概要

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関連著者

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 成田 克

  山形大学

• 成田 克

  山形大学工学部

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 伊藤 隆

  東北大学電気通信研究所

• 伊藤 隆

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 末光 眞希

  東北大通研

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 加藤 孝弘

  長岡技術科学大学

• 姉崎 豊

  長岡技術科学大学

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 成田 克

  九州工業大学工学部

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技科大

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 鈴木 大樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学

• 鈴木 大樹

  弘前大学理工学部

• 深田 祐介

  長岡技術科学大学電気系

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学電気系

• 末光 眞希

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学工学部

• 齋藤 健次

  長岡技術科学大学

• 齋藤 健

  長岡技術科学大学

• 永田 一樹

  長岡技術科学大学

• 三浦 創史

  弘前大学理工学部

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学

• 安部 和貴

  長岡技術科学大学電気系

• 大谷 孝史

  長岡技術科学大学

• 遅澤 遼一

  弘前大学大学院理工学研究科

• 豊田 英之

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学電気系

• 姉埼 豊

  長岡技術科学大学

• 山本 陽平

  弘前大学理工学部

• 成田 次理

  弘前大学理工学部

• 山本 陽平

  弘前大学大学院理工学研究科

• 豊田 英之

  長岡技術科学大学工学部

• 伊藤 隆

  東北大学際セ

• 遠田 義晴

  弘前大学理工学部

• 西崎 圭太

  弘前大学理工学部

• 今野 篤史

  東北大学

• 末光 眞希

  東北大学

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校 電気工学科

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校

• 神保 和夫

  長岡工業高等専門学校

• 遲澤 遼一

  弘前大学理工学部

• 奥崎 知秀

  弘前大学理工学部

• 佐藤 直之

  弘前大学理工学部

• 岡本 浩

  弘前大学大学院理工学研究科

• 里本 宗一

  長岡技術科学大学

• 須藤 晴紀

  長岡技術科学大学

• 伊藤 隆

  東北大学大学院工学研究科

• 里本 宗一

  長岡技科大工

• 遲澤 遼一

  弘前大学大学院理工学研究科

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 浅野 翔

  長岡技術科学大学

• 大谷 孝

  長岡技術科学大学

• 加藤 有行

  山形大学工学部

• 伊藤 隆

  東北大学・学際科学国際高等研究センター

• 奥野 さおり

  弘前大学大学院理工学研究科

• 三浦 創史

  弘前大学大学院理工学研究科

• 鎌田 亮輔

  弘前大学大学院理工学研究科

• 毛内 裕介

  弘前大学大学院理工学研究科

• 熊谷 知貴

  弘前大学大学院理工学研究科

• 岡本 浩

  弘前大学大学院 理工学研究科

• 片桐 裕則

  長岡工業高専

• 里本 宗一

  長岡技科大

• 神保 和夫

  長岡工業高専

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学工学部

• 成田 次理

  弘前大学大学院理工学研究科

• 末光 真希

  東北大学

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著作論文

• 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化
• 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
• 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
• パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
• レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成
• パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
• プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
• レーザーアブレーション法によるAIN成長のSi基板面方位依存性
• レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響
• SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
• 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
• C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長
• Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
• C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)

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